Меню Рубрики

Установка двухстороннего совмещения и экспонирования

Оборудование полупроводниковой промышленности

Модель 200IR наиболее универсальная и легкая в использовании установка двухстороннего совмещения и экспонирования с высокой производительностью для современного полупроводникового производства. Модульный принцип конструкции позволяет формировать системы с гибкими конфигурациями для обеспечения различных применений и нужд потребителей. Эта установка совмещения и экспонирования является гибкими и экономическим решением для любых технологий начального уровня, где применяется оптическая литография, например для: MEMs, микрофлюидики и наноимпринт литографии.

Модель 200IR предназначена для высокоточного двухстороннего совмещения маски с подложкой, а также обеспечения подачи коллимированного УФ излучения для проведения процесса экспонирования с высоким разрешением до субмикронного уровня. Система может конфигурироваться для применения в технологических циклах изготовления различных приборов, таких как: полупроводниковые приборы, III-V структуры, оптоэлектроника, MEMS, MCM, формирование столбиковых выводов, электронные дисплеи, температурные и медицинские, PCB производство и др.

  • Высокая эффективность, Универсальность, Модуль экспонирования укомплектован источником питания с контроллером интенсивности
  • Обработка ближним, средним и глубоким УФ
  • Субмикронная печать и «Level-to-Level» совмещение
  • Легко заменяемые держатели для маски и пластины
  • Регулируемый прижим «пластина-К-маске»
  • Мягкий, плотный, вакуумный контакт или режим с микрозазором
  • N2 очистка при экспонировании
  • Ультра точный держатель
  • Управляющий джойстик (опция)
  • Возможность ИК совмещения
  • Двухстороннее совмещение
  • Антивибрационная система с четырьмя независимыми центрами регулировки (опция)

Описание главных подсистем

Система инструментов совмещения маски включает модули держателей маски, пластины и точные микрометрические винты перемещения без обратной реакции для X-Y-Тета осей. Регуляторы перемещения по Тета встроены в модули держателей маски и пластины. Данная подсистема набора инструментов включает дополнительные легкие в использовании электронные рычаги для регулировки давления «пластина-К-маске». Эта система гарантирует высокую плоскостность и устраняет клин (выравнивающей поверхности) системы держателя пластины. Система держателя маски укомплектована пневматической системой загрузки/разгрузки и позиционирования маски.

  • Размер . до 9”x9” max
  • Прижим . вакуумный
  • Подъем маски. пневматический
  • Поворот . ± 90 o
  • Перемещение. X, Y, Тета и Z
  • стандартное. микрометры
  • X — Y диапазон. ± 6.5 мм
  • поэтапное перемещение.. 0.25 – 0.5 мкм
  • Тета перемещение/точность. ± 3,5 o / 0.001 o
  • Z диапазон. ± 1,500 мкм
  • X — Y угловая погрешность 2 (для УФ 365 нм спектра)
  • NUV сенсор. А=UV365B, B=UV400B

OAI Система питания со стабилизацией интенсивности обеспечивает широкий спектр интенсивности излучения с точностью выше ±2% и высокой повторяемостью. Датчик, находящийся в непосредственной близости к источнику излучения, обеспечивает обратную связь в реальном времени с системой контроля источника питания.

  • Мощность (350Вт лампа): 310Вт (экспонирование: 300-385Вт)
  • Контроль интенсивности: двухканальный оптический с обратной связью, ±2% точность
  • NUV датчик: А=UV365B, B=UV400B
  • Система безопасности: Аудио сигнал о превышении мощности

Подсистема контроля (SCM)

Подсистема контроля (SCM) обеспечивает пневматический, электрический и механический контроль системы. Система укомплектована цифровым таймером, вакуумным датчиком, датчиком расхода N2, функцией теста, а также другими необходимыми системами контроля. Вакуумный контакт и очистка N2 регулируются оператором.

  • Контроль: Ручной режим, Вкл/Выкл мощности, Экспонирование, Вакуум пластины, Вакуум маски, Загрузка/разгрузка, Контакт (вакуумный контакт и очистка N2 легко регулируются)
  • Таймер: от 1 до 999.9 сек, с шагом 0.1 сек
  • Датчики: Вакуумный, Вакуумный контакт и N2

Подсистема защиты от вибрационных помех

В комплект поставки включен антивибрационный стол для защиты от вибрационных помех.

Технические характеристики

  • Длина: 0.79 м
  • Ширина: 0.64 м
  • Высота: 0.94 м (вкл. освещение)
  • Вес: 68.2 кг
  • Питание: 230В/50Гц, одно-фазовое, 20A Max
  • CDA или N2: 60 psi
  • Давление N2: 20 psi
  • Вакуум: 0.836 атм.
  • Откачка: внешняя или внутренняя (0.1” H2O)

источник

Установка совмещения и экспонирования Neutronix-Quintel NXQ4006

Полуавтоматическая установка совмещения и экспонирования NXQ4006 сочетает в себе возможность прецизионного совмещения и экспонирования, гибкость в настройке и удобство работы для оператора. Установка позволяет работать в режимах контактной литографии (мягкий/жесткий контакт) и литографии с вакуумным контактом. Данное оборудование работает с пластинами размером до 150 мм (6″), в том числе и с осколками. Установка подходит для широкого спектра задач и может применяться как при производстве, так и в научных центрах и университетах для проведения исследований.

Особенности установки:

— Режимы контактной литографии и литографии с вакуумным контактом.

— Микроскоп VideoView с раздельными камерами высокого разрешения (есть возможность вывода изображения на двойной HD монитор). Объективы 5х. Режимы работы одиночного и разделенного поля. Увеличение объектива 5х, оптическое увеличение 7х (выбор требуемого поля обзора и кратности увеличения).

Читайте также:  Установка магнитолы на весту у дилера

— Опциональные объективы 2х, 7.5х, 10х или 20х

— Ручное управление с помощью джойстика и микрометра

— Удобный лоток для ручной загрузки и выгрузки пластин

— Автоматическая компенсация ошибки положения пластины после ее загрузки

— Загрузка фотошаблона сверху

— Антивибрационное основание в стандартной комплектации

— Возможность задания времени экспозиции

— Установка проста в использовании, идеально подходит для лабораторий

— Высокая надежность и низкие эксплуатационные расходы

Опциональные возможности:

— ИК совмещение по обратной стороне (IR)

— Оптическое совмещение по обратной стороне (OBS)

— Модуль ИК-совмещения и модуль оптического совмещения интегрированы в единую систему, которая не требует смены оснастки. Для использования нужного метода совмещения по обратной стороне достаточно выбрать нужный пункт в меню программы.

— Оснащение специальной оптикой для работы с прозрачными подложками и пленками, которые требуют повышенной точности

— QuadCam – 2 CCD камеры высокого разрешения с объективами. Уникальное устройство позволяет менять широкий обзор на большое увеличение одним нажатием кнопки, без повторной фокусировки.

— Возможно оснащение установки для проведения процесса наноимпринт УФ-литографии (NIL-UV)

— Оптическая система с поддержкой ближнего (NUV 280-350 нм), среднего (MID UV 280-450 нм) и дальнего (DUV 220-280 нм) ультрафиолета

Технические характеристики:

1 мкм

3 мкм (IR)

Режимы работы Мягкий/жесткий контакт
Вакуумный контакт
Разрешение при экспонировании ≥0.5 мкм (при использовании вакуумного контакта)
Размер подложек От кусочков до подложек размером 150 мм (6″)
Толщина подложек до 10 мм
Размер шаблона От 3″x3″ до 9″x9″
Модуль совмещения
Диапазон перемещений (X, Y) ± 3,8 мм
Диапазон перемещений (по оси) ± 7°
Расстояние шаблон/подложка 0-180 мкм
Точность совмещения (по верхней стороне)
Точность совмещения (по обратной стороне)
Пределы перемещения микроскопа
Левый микроскоп, перемещение по X -22 мм до края пластины
С объективами смещения -5.5 мм до края пластины
Правый микроскоп, перемещение по X +22 мм до края пластины
С объективами смещения +5.5 мм до края пластины
Левый/правый микроскоп, перемещение по Y ±12.7 мм
Опциональное расширение перемещения микроскопа по Y От +12.7 мм до -88 мм
Система экспонирования
Мощность лампы 350/500 Вт или 500/1000 Вт
Стандартная оптика (УФ) 350-450 нм
Ближний ультрафиолет NUV (опция) 280-350 нм
Средний ультрафиолет MUV (опция) 280-450 нм
Дальний ультрафиолет DUV (опция) 220-280 нм
Равномерность освещения ± 4% (при диаметре пластины 150мм/6″)
Электроника/управление Программное управление и контроль проведения процесса с помощью системы управления процессом (ПЛК/PLC) с ЖК дисплеем
Понятный, интуитивный интерфейс пользователя
Электропитание 115В/60Гц или 240В/50Гц
Сжатый воздух 5.4 бар (80 PSI)
Вакуум -0.7 бар
Азот 3 бар (40 PSI)
Габариты (ШxГxВ) 1220x915x1423 мм (48″x36″x56″)
Вес 217 кг

Представленные технические характеристики являются примером возможности установки в конкретной конфигурации, но не отражают реальные характеристики оборудования по всей модельной серии. Для уточнения конкретных технических возможностей оборудования в конфигурации согласно техническому заданию необходимо направить нам запрос на разъяснение возможностей оборудования.

Компания Neutronix-Quintel, основанная в 1978 в США, занимается разработкой и производством установок совмещения и экспонирования для процессов фотолитографии в полупроводниковой и микроэлектронной индустрии. На данный момент компания является ведущим поставщиком новых установок микролитографии на рынках оптоэлектроники, микросистемной техники и нанотехнологий.

источник

Установка совмещения и экспонирования

Установка совмещения и экспонирования

Молодая японская компания Union Optical Co., LTD., работающая с 2010 года предлагает настольные системы контактной литографии для работы на кремниевых и керамических подложках. Литография в микроэлектронике занимает лидирующую роль среди процессов. Очень часто необходим легкий и простой инструмент для экспонирования фоторезиста. Японская компания Union Optical Co., LTD предлагает настольные установки литографии для НИОКР и среднесерийного производства приборов электроники. Флагманом является установка совмещения экспонирования модель EMA 400.

Габариты установок контактной литографии от японской компании Union очень малы и позволяют их установить в любой лаборатории тонкопленочной технологии или на производстве гибридных микросборок.

Совмещение

Простое выравнивание с помощью микроскопа с разделительным полем (область совмещения изображения с разделенным полем). Микроскоп используется для выравнивания (положения регулировки) между фотошаблоном и пластиной. Подтверждение меток совмещения в двойном поле зрения поможет избежать расхождения между маской и пластиной, и это позволяет совмещать фотомаски (фотошаблоны) большого размера с высокой точностью в модели установки совмещения и экспонирования EMA 400. Стоит отметить что установка контактной литографии EMA 400 относится к настольным системам, но одно из отличий это то, что она имеет Split-Field микроскоп с улучшенной точностью выравнивания (точность выравнивания меньше ± 3 мкм). Раздельная линза объектива от 15 до 75 мм для переменной работы с небольшими аморфными размерами пластин.

Система засветки

Установка совмещения и экспонирования может применяться в производстве гироскопов, СВЧ микросборок, гибридных микросхем, сенсоров и датчиков, а также в конструкторских бюро и при разработках НИОКР. Установка контактной литографии оптимально подойдет для задач, где требуются микронные диапазоны. Все это возможно благодаря специальной конструкции системы экспонирования. Это параллельные направленные лучи света (это дифференциальный и высококачественный объектив для равномерного отображения без неровностей), параллельный угол в 1 степени, чем больше всех лучей света идет параллельно на фотошаблон, тем больше система засветки вступает в силу для воздействия, поверхность линзы похожа на сотовидную структуру.

Экспонирование

Равномерность освещения. Интенсивность интегрированного объектива точки измерения, показаны на рисунке, возможно вычислить по формуле = (MAXMIN)/(MAX + MIN) — в пределах ±5%. Выдержка экспозиции может быть достигнута даже в зоне 4 дюймовых пластин. RED LED источник с длиной волны 630 нм используется в качества экспонирования, так как имеет ряд преимуществ по сравнению с обычным освещением: во время выравнивания не подвергается воздействию, поскольку монохроматический свет (красный), Продолжительность жизни дольше, чем обычное освещение, соответственно частота обмена источника света меньше.

Превосходная работоспособность с фотошаблонами с 4-осевой (X, Y, theta и Z) системой и универсальным вакуумным держателем для работы от маленьких размеров до 4 дюймовых пластин. Верхняя крышка опускается как только пластина с фотошаблоном находится в правильной позиции и возможно экспонирование образца.

Ниже показаны полупроводниковые структуры полученные на установке совмещения и экспонирования EMA 400. Показаны образцы с толстопленочным фоторезистом PMER и SU8, а также пластина японской полиграфической компании Toppan.

источник

Оборудование полупроводниковой промышленности

Полуавтоматическая установка совмещения с маской и экспонирования модели OAI 800 МВА обеспечивает совмещение маски и пластины с лицевой и обратной сторон благодаря в том числе и использованию четырех камер. Данная модель обеспечивает высокую точность совмещения 1-2 мкм. Система, ее конструкция, принцип действия и составные модули и части специально разработаны и скомпонованы таким образом, чтобы значительно превзойти по своим характеристикам и цене любое сопоставимое литографическое оборудование данного типа. Такая универсальная установка совмещения с маской модели OAI 800МВA идеально подходит для работы в технологическом процессе мелкосерийного производства, научно-исследовательских лабораториях и университетах.

Модель 800МВA можно конфигурировать с различными источниками излучения производства компании OAI, которые имеют мощность в диапазоне до 2 КВт. Набор держателей пластин обеспечивает обработку образцов размером до 8”x8”. Специализированная конструкция держателя гарантирует легкую, быструю и безопасную загрузку/выгрузку образцов. Данная установка совмещения укомплектована моторизированной системой автовыравнивание и подсистемой автоматического контроля и управления зазором между маской и образцом для режима экспонирования с микрозазором

Специальная антивибрационная платформа (стол) и зафиксированный держатель масок гарантируют высокую точность совмещения и повторяемость результатов от пластины к пластине. Функционирование оборудования чрезвычайно простое и удобное, контроль и управление осуществляется с помощью сенсорного экрана. Обучение оператора не занимает много времени: оператор может квалифицированно работать на установке уже через часть после начала проведения инструктажа.

Базовый столик совмещения:

Максимальный размер маски до 9”;

Система укомплектована одним держателем маски со вставкой для 4” масок;

Вращение маски не требуется. При любой ошибке расположения маски по углу производиться компенсация за счет перемещения одной из камер на лицевой и обратной стороне;

Маска помещается в абсолютно неподвижный держатель. При работе установки нет никакого передвижения маски. Загрузка маски не требует специальных инструментов и занимает несколько минут. Фиксация маски осуществляется механическими зажимами и вакуумным прижимом.

Система укомплектована одним держателем для кремниевых пластин диаметром 3”

Разделение маска/держатель ручное, регулируемое, бесступенчатое

Давление маска/держатель регулируемое с увеличенным жестким контактом

Контроль/управление перемещением по X, Y, углу и Z с помощью дифференциальных микрометров

  • X/Y перемещение +/-10 мм
  • Поворот по углу +/-4 °
  • Интервал экспонирования 0-150 мкм
  • Регулируемая точность интервала 1 мкм
  • Механическое разрешение 0.1 мкм
  • Система компенсации клина при совмещении
  • Послойная точность совмещения
  • С лицевой стороны

источник

Совмещение и экспонирование

В процессе изготовления ИМС фотолитография проводится несколько раз. При
первой фотолитографии
, когда поверхность подложек еще однородна,

фотошаблон ориентируют относительно базового среза подложки.

Начиная со второй фотолитографии, необходимо совмещать рисунок шаблона с рисунком на подложке, полученным в технологическом слое при проведении предыдущей фотолитографии.

Для полного формирования ИМС необходим комплект фотошаблонов (для каждой фотолитографии свой шаблон) со строго согласованными друг относительно друга рисунками.

Совмещение выполняют визуально на той же установке, что и последующее экспонирование, путем наложения (при наблюдении под микроскопом) рисунков шаблона и подложки. Совмещение ведется по специальным рисункам — фигурам совмещения, выполненным в виде колец, крестов, штрихов и т.п. Для предотвращения царапанья, сколов и стирания поверхности шаблона и фоторезиста между ними устанавливают микрозазор (10-25 мкм).

После выполнения совмещения подложку прижимают к фотошаблону и экспонируют слой фоторезиста. Ультрафиолетовый свет проходит через прозрачные места фотошаблона и пронизывает слой фоторезиста, лежащий под ними, изменяя на этих участках растворимость фоторезиста. Процесс экспонирования контролируют временем облучения.

Такой способ экспонирования называют контактным.

При контактном способе экспонирования неизбежны механические повреждения соприкасающихся поверхностей фотошаблона и пластины, которые приводят к дефектам на пластине и шаблоне (вдавленные в фоторезист пылинки, микрочастицы стекла, прилипший к фотошаблону фоторезист и другие). Из- за механического износа пленочного рисунка необходима частая замена фотошаблонов. К достоинствам контактного способа относят его отработанность, высокую производительность и невысокую стоимость.

Способ экспонирования с микрозазором отличается от контактного экспонирования только тем, что после совмещения между подложкой и шаблоном остается зазор (10-25 мкм), при котором и облучают фоторезист. Из-за наличия зазора достигаемые минимальные размеры элементов увеличиваются с 2 мкм (при контактном способе экспонирования) до 4 мкм (при экспонировании с микрозазором). Но зазор значительно уменьшает повреждения шаблонов и увеличивает срок их службы.

Оба способа экспонирования (контактное и с микрозазором) проводятся на установке ЭМ-576 ( точность совмещения-0,5 мкм).

Проекционное экспонирование заключается в получении изображения в слое фоторезиста с помощью оптической системы со специальным объективом. Шаблон расположен на значительном расстоянии от подложки, его износ полностью исключен.

При проекционном экспонировании применяют способ шагового мультиплицирования с уменьшением масштаба. Фотошаблоны, называемые промежуточными фотооригиналами (ПФО), содержат увеличенное в 4- 20 раз изображение одного кристалла. После совмещения и экспонирования этого одного кристалла столик установки перемещают на один шаг и в новом положении подложки производят совмещение и экспонирование следующего участка (кристалла). И так до полного экспонирования всей подложки.

Совмещение осуществляется на каждом шаге с помощью специальных знаков (меток) совмещения в виде вытравленных канавок на подложках и непрозрачных штрихов на фотошаблоне. Процессы совмещения и экспонирования автоматизированы.

Достоинства проекционного экспонирования:

1. Высокая точность совмещения ( 0,1 мкм );

2. Минимальные размеры получаемых элементов —1 мкм;

3. Высокий срок службы фотошаблонов;

4. Более низкая дефектность на пластине (по сравнению с контактным методом).

Недостатки проекционного экспонирования:

1. Низкая производительность;

2. Если наПФО имеется дефект, то он повторяется в каждом кристалле на пластине (повтор).

Проекционное совмещение и экспонирование выполняется на установках ЭМ-584, ЭМ-584 А.

Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: При сдаче лабораторной работы, студент делает вид, что все знает; преподаватель делает вид, что верит ему. 9901 — | 7549 — или читать все.

источник

Добавить комментарий

Adblock
detector