Меню Рубрики

Установка плазменной очистки yes g1000

YES G500/1000 ꜛ установки плазменной очистки

G-серия разработана для удаления загрязнений и стерилизации поверхностей; обеспечения повышенной адгезии, создания гидрофильных поверхностей, улучшения характеристик полимеров за счет сшивки уменьшающей трение изнашивающее устройства, увеличения биосовместимости.

Полное описание

Системы очистки YES предназначены для плазменной обработки поверхностей под разварку. В них используется низкая частота генерации плазмы (40 кГц) для уменьшения нагрева камеры и продукта, иногда вызываемого системами высокой частоты (13,56 МГц). В результате системы YES идеально подходят для очистки даже чувствительных электронных устройств. Плазма образуется между активными и заземленными электродами или стенками камеры. Ламинарный поток воздуха через камеру устраняет мертвые зоны и повышает однородность плазмы,что, в свою очередь, гарантирует равномерную обработку каждого изделия с постоянным результатом. Все компоненты очищаются без повреждений, а также без изменения их электрических свойств.

Установки YES G-серии обеспечивают максимальный эффект очистки по сравнению с любым иным оборудованием и технологиями.

  • экологически безвредный (без использования химических веществ)
  • применение низкочастотной плазмы (40 кГц)
  • пять режимов выбора плазмы
  • удобство системы управления (PLC с сенсорным экраном)
  • отсутствие «мокрых» процессов
  • безопасность для чувствительной электроники
  • повторяемость и стабильность результатов
  • подготовка поверхности для разварки
  • удаление загрязнений, остатков флюса или стерилизация поверхностей
  • обеспечение адгезии между двумя поверхностями
  • создание гидрофильных поверхностей, изменяя поверхностное натяжение
  • улучшение характеристик биосовместимости

Системы плазменной очистки YES имеют пять режимов:

Мягкие анизотропные режимы

1. Безэлектронный / нисходящий режим: используется для очистки чувствительных электронных устройств перед соединением проводов. Образец находится на плавающем поддоне за пределами объёма генерации плазмы. Плазма проходит через заземленный поддон к образцу, уравновешивая заряженные частицы, чтобы ограничить накопление поверхностного заряда.

2. Активный режим: используется для травления и модификации поверхности перед приклеиванием. Образец находится на заземленном поддоне внутри области генерации плазмы.

3. Режим RIE: самая агрессивная плазма для модификации поверхности. Образец находится в активном лотке внутри объёма генерации плазмы. Электрическое поле на поверхности образца увеличивает энергию столкновения ионов.

4. Активная ионная ловушка: самая агрессивная плазма для реактивных процессов. Образец находится в активном лотке за пределами объема генерации плазмы. Плазмы с ионной ловушкой имеют высокую концентрацию ионов при низких уровнях энергии.

5. Нисходящая ионная ловушка: используется для активной очистки без электронов. Образец находится на заземленном лотке за пределами объема генерации плазмы.

При изготовлении полупроводников, после того как микросхема прикреплена к керамической подложке, она запекается для отверждения эпоксидной смолы. Но этот процесс вызывает небольшое количество загрязнений поверх контактных площадок, которые могут препятствовать связыванию проводов. Плазменная очистка или удаление накипи и других загрязнений с поверхности улучшает сцепление проводов.

В биомедицинском применении плазменная очистка удаляет загрязнения и стерилизует субстраты. Плазменная очистка повышает биосовместимость и контролирует поверхностное натяжение для создания гидрофобной или гидрофильной поверхности.

Переменная частота соответствия (VFM)

Блок питания VFM обеспечивает автоматическую обработку без регулировки. Одним из преимуществ 40 кГц по сравнению с 13,56 МГц является то, что согласование импедансов должно осуществляться только «по соседству». Однако при более длительных технологических циклах или более легких технологических газах окно наилучшего соответствия может сдвигаться. Переменная частота автоматически компенсирует любые изменения в системе (включая нагрузку) для поддержания оптимального соответствия. Результат — меньше отраженной энергии и более эффективное связывание энергии для идеальных условий процесса.

Читайте также:  Установка sierra на esxi

Характеристики

Количество поддонов для изделий, размер рабочей камеры G500 — 2, размер поддона 457×457 мм, высота камеры 205 мм
G1000 — 4, размер поддона 457×457 мм, высота камеры 300 мм
Рабочая температура процесса стандарт до 100°С,
опция — до 145°С
Расход инертного газа (азота) G500 — 28 л/мин
G1000 — 48 л/мин
Расход процесс-газа (аргон, кислород и пр.) 2,5×10 -2 л/мин
Количество газовых линий стандарт — 3 опция — до 6
Мощность генератора плазмы регулируемая, G500 — до 500 Вт
G1000 — до 1000 Вт
Контроллеры массового расхода газов опция, возможность смешивания до трех газов в заданной пропорции
Габаритные размеры, мм 596×711×1015
Управляющий контроллер индустриальное исполнение, сенсорный монитор, возможность сохранения до 12 рабочих программ

Отзывы

О чем нужно помнить при подготовке поверхности к формированию соединений и нанесению покрытий в условиях производства микроэлектроники. Это три кита — три ключевых фактора: рабочий газ, тип реактора, частота обрабатывающей плазмы.

источник

AXIC PlasmaStar ꜛ установка плазменной обработки поверхности

Весь спектр операций плазменной обработки — от интенсивного удаления физических загрязнений до активации поверхности в безопасном режиме.

Полное описание

Серия PlasmaSTAR — многоцелевые компактные установки плазменной обработки поверхностей. Особенности конструкции позволяют решить на одной установке большинство задач, связанных с применение плазмы. Установки просты в эксплуатации, обладают интуитивно понятным интерфейсом с возможностью индивидуальной настройки технологических параметров.

  • очистка корпусов
  • подготовка поверхности перед микросваркой
  • активация поверхности
  • анизотропное и изотропное травление
  • травление полиимида
  • повышение адгезии
  • удаление остатков фоторезиста
  • снятие фоторезиста

Плазменная очистка с Axic

Плазменная очистка заслуженно стала незаменимым дополнением в сферах микроэлектроники и биотехнологии. Результаты очистки в плазменной среде устойчивы и приводит к снижению брака. В некоторых случаях очистка плазмой позволяет компенсировать низкое качество расходных материалов. Плазменная очистка с использованием систем Axic предлагает широкий спектр преимуществ по сравнению со стандартным методом очистки растворителями, а также системами плазменной очистки других производителей:

  • низкий расход аргона/кислорода для очистки большого числа подложе;
  • отсутствуют затраты на утилизацию химических отходов;
  • широкая рабочая область при компактном настольном исполнении за счет продуманной кон-струкции;
  • нейтральная плазма аргона производит очистку поверхностей от всех оксидов, чего невозможно добиться, используя растворители;
  • очистка в плазме кислорода — наиболее доступный способ удаления тонких слоев органических загрязнений химически связанных с поверхностью. Метод позволяет достичь адгезии, сравнимой с когезионной прочностью заготовки;
  • электроды могут быть расположены строго параллельно к поддонам рабочей поверхности для обеспечения равномерной очистки;
  • возможность защиты чувствительных компонентов с помощью перемещения в нижнее положение заземленного электрода для снятия свободных электронов;
  • тесты можно произвести с использованием одной установки, с минимальными затратами времени и мощности. По завершении тестирования все поддоны можно загружать одновременно, что обеспечивает стабильность результатов при одинаковых затратах времени и энергии.

Использование аргона для удаления оксида алюминия создает эффект «пескоструйки» на атомарном уровне, причем удаляется слой оксида алюминия, и на поверхности остается чистый алюминий. Если в течение двух часов после данной операции производится сварка проволокой, устраняется возможность брака сварки из-за образования оксида. При использовании аргона на керамических подложках на поверхности создается такой эффект, что эпоксид проникает внутрь поверхности, а не стекает под кристалл.

Читайте также:  Установки для выращивания монокристаллов кремния

Что делать, если плазменная очистка не приносит результатов? А если плазма «сжигает» топологию?

Конфигурация установки, выбранная без учета индивидуальных особенностей процесса, может оказаться неприменимой в реальном производстве. При этом, определить режимы обработки без ввода установки в эксплуатацию практически невозможно.

Ситуация противоречивая, но риск того, что установка останется невостребованной на произ-водстве можно избежать.

Перемещаемые электроды-полки в реакторах последовательной загрузки, как и держатели за-готовок, могут быть произвольно перемещены для изменения конфигурации процесса. Для этого электроды в установках PlasmaSTAR были сделаны перемещаемыми. Перемещаемые электроды-полки в реакторах последовательной загрузки, как и держатели заготовок, могут быть произвольно перемещены для изменения конфигурации процесса, что обеспечивает широкие возможности для отработки технологии.

Расстояние от заготовки до источника может быть легко изменено, а при загрузке нескольких слоев заготовок, каждый из слоев снабжается собственным электродом, чтобы избежать «теневого эффекта». Гибкая конфигурация PlasmaSTAR позволяет проводить как жесткую обработку в темной прикатодной области, так и мягкую плазмохимическую очистку в удаленной плазме на одной установке. Для полной загрузки рабочей области и достижения наибольшей производительности рекомендуется использовать клетку Фарадея.

Установки PlasmaSTAR могут использовать в качестве источника как генератор высокоча-стотной (13,56 МГц), так и генератор низкочастотной (40 кГц) плазмы.

Компания «Глобал Инжиниринг» рекомендует использовать низкочастотную плазму для достижения наилучших результатов очистки. Низкочастотная плазма обладает рядом преимуществ для нужд микроэлектроники.

Низкие потери на тепло. Особенно важно для чувствительных компонентов. Энергетические потери 40 кГц плазмы в 850 раз меньше, чем у 13,56 МГц плазмы. В низкочастотной плазме значительно снижен нагрев элементов и риск распыления электродов.

Однородность. В отличие от высокочастотной плазмы, в низкочастотной плазме отсутствует чередование пятен. Это повышает равномерность обработки и допускает близость к электродам при обработке в безопасном режиме.

Расстояние между электродами для возникновения разряда. Высокочастотная плазма тем эффективнее, чем больше расстояние между электродами. Для загорания низкочастотной плаз-мы не требуется большого расстояния, что позволяет увеличить полезный рабочий объем камеры и использовать несколько пар электродов при последовательной загрузке, чтобы избежать «теневого эффекта».

Характеристики

220 В

Частота плазмы 13,56 МГц . 40 кГц
Мощность, Вт 1000
Размер камеры (Ш×Г×В), мм 375×432×305
Материал камеры алюминиевая с твердым анодированным покрытием
(из нержавеющей стали — опционально)
Тип электродов «клетка» / перемещаемые полки-электроды
параллельные электроды (цилиндрический реактор)
Размер полки-электрода, мм 305×355
Количество магистралей с газом 2 в базе, 2 опционально
Электропитание
Габаритные размеры, мм 1030×850×635 без вакуумного насоса
Вес, кг 225

Отзывы

О чем нужно помнить при подготовке поверхности к формированию соединений и нанесению покрытий в условиях производства микроэлектроники. Это три кита — три ключевых фактора: рабочий газ, тип реактора, частота обрабатывающей плазмы.

источник

Установка плазменной очистки Pico

Установка плазменной очистки низкого давления модели Pico производства Diener electronic (Германия).

Применение: очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы), создание гидрофобных и гидрофильных покрытий, карбонизация, снятие и подчистка фоторезста

  • мелкосерийное производство
  • аналитика (SEM, TEM)
  • медицина
  • стерилизация
  • исследования
  • археология
  • обработка текстиля
  • полупроводники
  • обработка пластиков

Особенности

Камера: цилиндрическая или прямоугольная, около 5 литров

Ганератор 40 кГц, до 1000 Вт или 13,56 МГц, до 300 Вт или 2,45 ГГц, до 300 Вт.

Управление: ручное или автоматическое (PLC или PC)

Газовые линии — до 3 шт. (игольчатые глапана или MFC)

Характеристики

Тип установки плазма низкого давления
Вакуумная камера цилиндрическая, около 5 литров: Ø 130 мм, глубина 300 мм
прямоугольная, около 8 литров: 160 х 160 х 325 мм
Материал камеры Боросиликатное стекло или кварцевое стекло или нержавеющая сталь
Подвод газа до 3-х газовых линий с игольчатым клапанов или MFC
Генератор плазмы 40 кГц, до 200 Вт
13,56 МГц, до 300 Вт
2,45 ГГц, до 300 Вт
Контроль Ручной
PCCE-Control (Microsoft Windows CE ) — PLC
PC-Control (Microsoft Windows XPe ) — PC
Производительность вакуумного насоса сухой насос или лопастной по выбору
Подключение 220 В, 50 Гц или 400В, 3 фазы (в зависимости от конфигурации)

Видеопрезентация установки Pico

Видеопрезентация фирмы Diener

Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru

Установка плазменной очистки низкого давления модели ATTO производства Diener electronic (Германия).

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Камера: цилиндрическая, около 10,5 литра
Вакуумный насос, 3 или 5 м 3 /час
Ганератор 40 кГц, до 200 Вт или 13,56 МГц, до 200 Вт.
Управление: ручное или автоматическое (PLC или PC)
Газовые линии — до 2 шт (игольчатые глапана или MFC)

Установка плазменной очистки низкого давления модели ATTO производства Diener electronic (Германия).

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Камера: цилиндрическая, около 10,5 литра
Вакуумный насос, 3 или 5 м 3 /час
Ганератор 40 кГц, до 200 Вт или 13,56 МГц, до 200 Вт.
Управление: ручное или автоматическое (PLC или PC)
Газовые линии — до 2 шт (игольчатые глапана или MFC)

Специальные установки плазменной очистки низкого давления модели производства Diener electronic (Германия).

Diener electronic изготавливает плазменные установки с учетом ваших индивидуальных потребностей. Установки разрабатываются с учетом следующих критериев:

— ожидаемое количество проходящего материала
— величина обрабатываемых деталей

Специальные установки плазменной очистки низкого давления модели производства Diener electronic (Германия).

Diener electronic изготавливает плазменные установки с учетом ваших индивидуальных потребностей. Установки разрабатываются с учетом следующих критериев:

— ожидаемое количество проходящего материала
— величина обрабатываемых деталей

Установка плазменной очистки низкого давления модели Nano производства Diener electronic (Германия).

Применение: очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы), создание гидрофобных и гидрофильных покрытий, карбонизация, снятие и подчистка фоторезста

Камера: цилиндрическая или прямоугольная, около 18 литров
Вакуумный насос на выбор
Ганератор 40 кГц, до 1000 Вт или 13,56 МГц, до 300 Вт или 2,45 ГГц, до 600 Вт.
Управление: ручное или автоматическое (PLC или PC)
Газовые линии — до 3 шт (игольчатые глапана или MFC)

Установка плазменной очистки низкого давления модели Nano производства Diener electronic (Германия).

Применение: очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы), создание гидрофобных и гидрофильных покрытий, карбонизация, снятие и подчистка фоторезста

Камера: цилиндрическая или прямоугольная, около 18 литров
Вакуумный насос на выбор
Ганератор 40 кГц, до 1000 Вт или 13,56 МГц, до 300 Вт или 2,45 ГГц, до 600 Вт.
Управление: ручное или автоматическое (PLC или PC)
Газовые линии — до 3 шт (игольчатые глапана или MFC)

источник

Популярные записи