Меню Рубрики

Установка прецизионной дисковой резки

Установка полуавтоматической прецизионной дисковой резки ADT 7120/7130Установка полуавтоматической прецизионной дисковой резки ADT 7120/7130М

Серия установок дисковой резки 7120/7130 со шпинделями размером 2 и 4 дюйма предоставляют высокий уровень доступности и гибкости для обеспечения ваших потребностей.

Серия установок дисковой резки 7120/7130 со шпинделями размером 2 и 4 дюйма предоставляют высокий уровень доступности и гибкости для обеспечения ваших потребностей.

Модели серии 7120/7130 охватывают самый широкий спектр применений, предлагая самые низкие затраты на оборудование, обеспечивая при этом Ваше производство самыми передовыми технологиями дисковой резки. Установки могут проводить операцию дисковой резки для следующих применений:

  • Керамические подложки
  • Тонкоплёночные и гибридные модули
  • Стекло и стекло на кремнии
  • МЭМС
  • Светодиоды и светодиодные сборки
  • Подложки под корпуса типов BGA, QFN, LTCC
  • Опто-электронные компоненты
  • Интегральные схемы
  • Печатные платы

Сравнение с предыдущей версией серии 7100

  • Наличие нового мощного промышленного ПК
  • Шпиндель с большей вибрационной устойчивостью
  • Вращательный рабочий столик с высоким крутящим моментом и точностью позиционирования до 1 мкм
  • Камера высокого разрешения (2000 х 2000 пикс)
  • Микроскоп с высоким оптическим разрешением
  • Увеличенный ход по оси X для более простой загрузки и выгрузки заготовок
  • Сервисное окно для более удобного доступа при проведении ТО
  • Вакуумный ресивер, сокращающий потребление сжатого воздуха до 30%

Модели серии

Шпиндель на воздушном подшипнике диаметром два дюйма с фронтальным креплением, мощностью до 1,2 кВт и максимальной скоростью вращения до 60 тыс. об/мин. Бесщеточный двигатель постоянного тока обеспечивает управление скоростью с обратной связью.

Поддерживает 2”-3” бесфланцевые и фланцевые лезвия. Размер обрабатываемых изделий ограничен областью 8” x 8” (200 х 200 мм). Система также оборудована поворотным рабочим столиком с обратной связью, оптимизированным под резку следующих приложений:

Тонкоплёночные и гибридные модули

Датчики на стекле / кремнии

LED-сборки высокой яркости

Шпиндель на воздушном подшипнике диаметром два дюйма с фронтальным креплением, мощностью до 1,2 кВт и максимальной скоростью вращения до 60 тыс. об/мин. Бесщеточный двигатель постоянного тока обеспечивает управление скоростью с обратной связью.

Поддерживает 2”-3” бесфланцевые и фланцевые лезвия. Размер обрабатываемых изделий ограничен областью 12” х 9” (300 х 225 мм) для прямоугольных заготовок с рамкой (12” x 12” без рамок) и 12” (300 мм) для круглых. Система также оборудована поворотным рабочим столиком с обратной связью, оптимизированным под резку больших подложек и мульти-панельной резки:

200 и 300 мм кремниевые пластины

LED-сборки высокой яркости

Высокомощный шпиндель на воздушном подшипнике диаметром четыре дюйма, мощностью до 2,5 кВт и максимальной скоростью вращения до 30 тыс. об/мин. Бесщеточный двигатель постоянного тока обеспечивает управление скоростью с обратной связью.

Поддерживает 4” и 5” бесфланцевые лезвия. Размер обрабатываемых изделий ограничен областью 8” x 8” (200 х 200 мм). Система также оборудована поворотным рабочим столиком с обратной связью, оптимизированным под резку следующих приложений:

Подложки из оксида алюминия

Высокомощный шпиндель на воздушном подшипнике диаметром четыре дюйма, мощностью до 2,5 кВт и максимальной скоростью вращения до 30 тыс. об/мин. Бесщеточный двигатель постоянного тока обеспечивает управление скоростью с обратной связью

Поддерживает 4” и 5” бесфланцевые лезвия. Размер обрабатываемых изделий ограничен областью 12” х 9” (300 х 225 мм) для прямоугольных заготовок с рамкой (12” x 12” без рамок) и 12” (300 мм) для круглых. Система также оборудована поворотным рабочим столиком с обратной связью, оптимизированным под резку больших подложек и резки под множеством разных углов:

источник

Полуавтоматические установки дисковой резки пластин NDS-1012/NDS-1612

Полуавтоматические установки дисковой резки пластин NDS-1012 и NDS-1612 производства NEONTECH (Корея).

Полуавтоматические установки дисковой резки корейской фирмы NEONTECH — это идеальное решение для мелкосерийного производства, НИОКР и исследований. Установки моделей NDS-1012 и NDS-1612 позволяют резать пластины или печатные платы размером до 200х200 мм и до 300х300 мм соотвественно.
Загрузка и выгрузка пластин производится вручную. Сам процесс резки производится в полностью автоматическом режиме (совмещение, резка, контроль лезвия).
Мощный мотор шпинделя в 2,4 кВт позволяет резкать такие твердые материалы как керамика, толстые металлы и кремний.
Установка смонтирована на мощном гранитном основании для устранения вибраций и стабильности работы и высокой воспроизводимости.
Управление установкой и визуальный интерфейс осуществляется с 19″ тач монитора.

Применение:
Резка полупроводникоых пластин (Si, SiC, Ge, A3B5)
Резка сапфира
Резка керамики (ситал, поликор)
Резка печатных плат
Резка корпусов микросхем

Особенности

  • Обработка пластин диаметром до 200 мм и до 300 мм соотвественно
  • Мотор шпинделя 2,4 кВт.
  • Ручная загрузка/выгрузка
  • Автоматическое совмещения с помощью системы технического зрения, автоматическая резка и контроль диска
  • Резка твердых материалов (керамика, металлы, кремний)
  • 19″ тач монитор для управления установкой

Скачать презентацию в PDF

Характеристики

Максимальный размер пластин Ø200 мм или 200х200 мм Ø300 мм или 300х300 мм Ось X
Ход 320 мм 400 мм Длина реза 0,01 — 220 мм 0,01-310 мм Скорость реза 0,01 — 300 мм/c Минимальный шаг 1 мкм Ось Y Ход 220 мм 400 мм Длина хода 0,0001 — 210 мм 0,0001-310 мм Скрость хода 100 мм/с Минимальный шаг 0,1 мкм Ось Z Ход 40 мм Минимальный шаг 0,1 мкм Ось Θ Угол поворота 380° Разрешение по углу ±0.000176° Шпиндель Скорость вращения 5,000

60,000 об/мин. Мощность мотора 2,4 кВт Тип мотора Воздушные подшипники, бесщёточный DC мотор Подключение Подключение 220В, 3 Фазы, 60 Гц Давление воздуха 0.6

0.8 МПа Вода 6 литров при резке с мин и 1,5 литра для охлаждения Размеры 970 x 950 x 1730 мм 1120x 1100x 1730 мм Вес 1000 кг 1355 кг

Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru

Установки отмывки палстин после резки серии NSD производства NEONTECH (Корея).

Параметры:
Тип — ручная установка (загрузка выгрузка)
Отмывка — автоматическая с PLC
Отмывка от частиц и загрязнений
Способ отмывки — DI вода и центрифуга, губка и нейлоновая щетка

Установки отмывки палстин после резки серии NSD производства NEONTECH (Корея).

Параметры:
Тип — ручная установка (загрузка выгрузка)
Отмывка — автоматическая с PLC
Отмывка от частиц и загрязнений
Способ отмывки — DI вода и центрифуга, губка и нейлоновая щетка

Читайте также:  Установка вентиляционная rego 900

Установки монтажа палстин на пленочный носитель NTM-60 и NTM-80 производства NEONTECH (Корея).

Параметры:
Тип — ручная установка
Монтаж пластин размером до 150 мм и до 200 мм соотвественно
Устройство натяжения пленки для защиты от повреждения пластины
Подогреваемый столик

Установки монтажа палстин на пленочный носитель NTM-60 и NTM-80 производства NEONTECH (Корея).

Параметры:
Тип — ручная установка
Монтаж пластин размером до 150 мм и до 200 мм соотвественно
Устройство натяжения пленки для защиты от повреждения пластины
Подогреваемый столик

Установки УФ засветки NUV-68 производства NEONTECH (Корея).

Параметры:
Тип — ручная установка
УФ засветка рамок до 150 мм и до 200 мм соотвественно
Длина волны 352 нм.
Источник: УФ лампа, ресурс 3000 часов

Установки УФ засветки NUV-68 производства NEONTECH (Корея).

Параметры:
Тип — ручная установка
УФ засветка рамок до 150 мм и до 200 мм соотвественно
Длина волны 352 нм.
Источник: УФ лампа, ресурс 3000 часов

источник

Методы резки кремниевых приборных пластин на чипы в производстве органических микродисплеев Текст научной статьи по специальности « Нанотехнологии»

Аннотация научной статьи по нанотехнологиям, автор научной работы — Иванов Владимир Игоревич

Требования к высокой точности и улучшению качества обработки поверхности и спрос на производство микродисплеев на органических светоизлучающих диодах (ОСИД) с низким уровнем потребительской стоимости подразумевает необходимость рассмотрения эффективных методов резки кремниевых приборных пластин. В данной работе рассмотрены высокоэффективные технологические процессы прецизионной сквозной резки кремниевых приборных пластин в производстве микродисплеев на органических светоизлучающих диодах. Эти техпроцессы являются контролируемыми и имеют менее агрессивные режимы в отличие от других механических и лазерных методов, таких как механическое скрайбирование, лазерное скрайбирование и лазерная резка. В работе используются установка дисковой резки ADT-7100 ProVectus (Израиль) и лазерная установка РТ-350 (Россия), которая базируется на применении метода лазерного управляемого термораскалывания . Рассматриваются различные типы дисковых лезвий и режимы данных установок для разрезания полупроводниковых приборных пластин на кристаллы . Приводятся и сравниваются данные по оценке качества поверхностей чипов после лазерного управляемого термораскалывания и дисковой резки , а именно наличие и размер сколов , а также шероховатость поверхностей . В работе автором впервые обосновывается и экспериментально доказывается возможность и эффективность применения сквозной дисковой резки и метода лазерного управляемого термораскалывания в ОСИД технологии.

Похожие темы научных работ по нанотехнологиям , автор научной работы — Иванов Владимир Игоревич

Techniques for cutting silicon device wafers into chips in the production of OLED microdisplays

Requirements for high precision and improvement surface finish and the demand for the production of microdisplays based on organic light emitting diodes (OLED) with low user value mean the necessity of cons >silicon device wafers. In this paper, we cons >cutting silicon device wafers into chips in the production of microdisplays based on organic light emitting diodes. These technical processes are controlled and have less aggressive modes unlike other mechanical and laser methods, such as mechanical scribing, laser scribing and laser cutting. The article uses a dicing system ADT-7100 ProVectus (Israel) and laser system RT-350 (Russia), which based on the method of laser controlled thermocracking . Discusses the various types of disc blades and conditions of experiments for these systems for cutting semiconductor device wafers into chips. Presented and compared to data for rating of merit the surfaces of chips after the laser controlled thermocracking and dicing , namely the availability and size of the chipping , as well as surface roughness . In this paper substantiates and experimentally proved possibility and efficiency of using through dicing and laser controlled thermocracking methods in OLED technology.

Текст научной работы на тему «Методы резки кремниевых приборных пластин на чипы в производстве органических микродисплеев»

ФГБОУ ВПО «Московский Государственный Университет Приборостроения и Информатики»

Россия, Москва1 Аспирант E-Mail: ivi061@gmail.com

Методы резки кремниевых приборных пластин на чипы в производстве органических микродисплеев

Аннотация. Требования к высокой точности и улучшению качества обработки поверхности и спрос на производство микродисплеев на органических светоизлучающих диодах (ОСИД) с низким уровнем потребительской стоимости подразумевает необходимость рассмотрения эффективных методов резки кремниевых приборных пластин. В данной работе рассмотрены высокоэффективные технологические процессы прецизионной сквозной резки кремниевых приборных пластин в производстве микродисплеев на органических светоизлучающих диодах. Эти техпроцессы являются контролируемыми и имеют менее агрессивные режимы в отличие от других механических и лазерных методов, таких как механическое скрайбирование, лазерное скрайбирование и лазерная резка. В работе используются установка дисковой резки ADT-7100 ProVectus (Израиль) и лазерная установка РТ-350 (Россия), которая базируется на применении метода лазерного управляемого термораскалывания. Рассматриваются различные типы дисковых лезвий и режимы данных установок для разрезания полупроводниковых приборных пластин на кристаллы. Приводятся и сравниваются данные по оценке качества поверхностей чипов после лазерного управляемого термораскалывания и дисковой резки, а именно наличие и размер сколов, а также шероховатость поверхностей. В работе автором впервые обосновывается и экспериментально доказывается возможность и эффективность применения сквозной дисковой резки и метода лазерного управляемого термораскалывания в ОСИД технологии.

Ключевые слова: дисковая резка; лазерное управляемое термораскалывание; органические светоизлучающие диоды (ОСИД); ОСИД микродисплеи; кремний; кремниевые подложки; разрезание полупроводниковых приборных пластин на кристаллы; оценка качества поверхности; сколы; шероховатость поверхности.

Идентификационный номер статьи в журнале 87ТУЫ414

107076, г. Москва, ул. Стромынка, д.20

После открытия электролюминесценции в органических материалах в начале 1950-х гг. и развития разработок проводящих органических полимеров с 2000 г. началось создание органических светоизлучающих диодов (Organic Light Emission Diode — OLED или ОСИД). Для их создания используются тонкопленочные многослойные структуры, состоящие из слоев нескольких органических полимеров, имеющих разные назначения, такие как — эмиссия, инжекция и транспортировка дырок и электронов, изоляция, разделение [1]. Наряду с этим возникла и интенсивно развивается новая область электронной техники, связанная с миниатюрными устройствами отображения информации — микродисплеями. Технология создания средств отображения информации на основе ОСИД является новейшей технологией, технологией, идущей на смену существующим сегодня. В настоящее время органические светодиоды изготавливаются на основе двух типов материалов: низкомолекулярные органические материалы и полимерные материалы. Наиболее отработанной является технология изготовления органических светодиодов и изделий на их основе с использованием низкомолекулярных органических материалов [2]. Технология ОСИД даёт преимущество в получении чёткого и контрастного изображения 1000:1 и более, ОСИД микродисплеи имеют меньшую потребляемую мощность, угол обзора до 170°, лучшее качество цветопередачи, а также лучшие масса-габаритные показатели: размер области отображения 12,78 мм х 9 мм; габаритные размеры 19,78 мм х 15,2 мм х 5 мм (рис. 1).

Читайте также:  Установка противотуманок шкода октавия

Рис. 1. Фотографии микродисплеев (а) и размеры чипа (б) Составлено автором

В производстве микродисплеев преобладающими стандартами толщин стали 725 мкм для односторонне полированных монокристаллических кремниевых пластин р-типа ориентации и 700 мкм для защитного стекла марки Corning Eagle XG. В последнее время широко применяют технологию корпусирования на уровне пластины — сэндвич-технологию, поскольку в наиболее эффективные процессы резки приборных пластин на чипы интегрирована вода. На операцию резки поступают кремниевые подложки 0 200 мм с нанесенными ОСИД структурами и приклеенной при помощи акрилового адгезива, выполняющего также функцию дополнительного герметизирующего слоя, защитной стеклянной крышкой 0 200 мм, так называемые «сэндвичи» (рис.2).

Рис. 2. Основные расстояния и размеры, учитываемые при резке «сэндвичей»

«Сэндвич» является по сути микродисплеями в сборе уже с защитным стеклом общей толщиной 1,425 мм, что ужесточает требования к высокой точности и улучшению качества обработки поверхности кремниевых подложек с ОСИД структурами, ввиду их высокой себестоимости. Механическая прочность кремния и кремниевых приборов может вызывать проблемы, как во время изготовления устройства, так и при его работе. В процессе изготовления или работы, если применяются растягивающие напряжения, превышающие вероятностный предел прочности кремния на растяжение (ограниченный наличием уже существующих дефектов), то произойдет разрушение. К качеству обработки стеклянных крышек требования ниже, их основная функция защита ОСИД структур от воздействия окружающей среды.

Операция резки стеклянных и кремниевых подложек в технологическом процессе изготовления ОСИД дисплеев достаточно хорошо изучена, исходя из технологии изготовления ЖК-дисплеев. Однако при разработке технологического процесса резки приборных пластин для ОСИД дисплеев необходимо учитывать специфику ОСИД структур. Структуры ОСИД начинают деградировать при длительном воздействии температуры свыше +90 °С (а кремний обладает колоссальной теплопроводностью), а также при воздействии кислорода и воды, они чувствительны к вибрациям, поскольку толщина некоторых органических слоев всего несколько ангстрем, а защитные слои оксида алюминия напротив имеют толщины более 700 нанометров и, как правило, имеют собственные локальные напряжения, обусловленные дефектами, на которых тоже может сказаться вибрация (рис. 3).

Рис. 3. Виды деградации ОСИД структур: воздействие температур свыше 100 °С (а); воздействие кислорода и воды (б); собственные напряжения и вибрации (в)

Необходимость резки возникает на следующих операциях:

а) Резка защитного стекла для вскрытия контактных площадок.

б) Резка «сэндвича» кремний-стекло на дисплейные модули.

Основные технологические требования, предъявляемые оборудованию и «сэндвичам» при резке подложек с ОСИД:

• по возможности, стеклянная крышка и кремниевая подложка «сэндвича» должны быть одинаковой толщины;

• крышка и подложка должны быть близки по физическим характеристикам;

• установка должна обеспечить резку подложек 0 200 мм;

• ширина реза с учетом сколов должна быть не более 300 мкм;

• установка должна обеспечивать ровные поверхности реза, не требующие дополнительной механической обработки;

• вибрации, возникающие в зоне резки, не должны ухудшать адгезию компаунда к крышке и подложке;

• точность позиционирования линии реза не должна превышать ± 10 мкм.

При применении метода механического скрайбирования следует учитывать такой критерий как коэффициент концентрации напряжений к для определения максимального напряжения изгиба на поверхности за счет приложенного изгибающего момента, который можно рассчитать по формуле:

к = (0.355^ — й) / г) + 0.85)/2 + 0.08, (1)

где г — размер алмазного зерна; ё — глубина реза; ^ — толщина подложки.

Из формулы (1) видно, что чем толще подложка, тем требуется большее напряжение изгиба. Чтобы уменьшить требуемое напряжение изгиба можно увеличить глубину реза, но в этом случае возможен неконтролируемый раскол материала из-за увеличения давления на инструмент для скрайбирования, либо увеличить размер алмазного зерна, но это в свою очередь ухудшит качество кромок чипов и их механическую прочность. Использовать механическое скрайбирование, как и лазерное скрайбирование при такой толщине подложек

не целесообразно в виду ряда факторов основным из которых является операция «докалывания». Несмотря на множественные разработки методов «докалывания», в том числе и бесконтактный ультразвуковой, при толщине подложки в 725 мкм скол будет неконтролируемым и иметь так называемую «юбочку», которая сказывается на прочности и может вызвать брак на последующих операциях сборки.

В целом метод механического скрайбирования кремниевых полупроводниковых пластин [3] не изменился на протяжении последних лет. Лазерные методы скрайбирования и резки кремниевых пластин на кристаллы применяются на протяжении последних нескольких лет — и это развивающиеся методы. По мере того как пластины становятся тоньше, а лазеры дешевле и мощнее, их эксплуатационные преимущества резко возрастают. Лазерная обработка кремния была исследована в ряде лазерных систем с различными длинами волн [4, 5], шириной импульса (от фемтосекундного [6] и пикосекундного [7] режимов до наносекундного [8]) и уровнями мощности. Тем не менее ни в одной из выше указанных работ не упоминалось о резке приборных пластин толщиной свыше 200 мкм. Как правило, чем шире длительность импульсов и больше длина волны, тем выше скорость резания из-за увеличения распределения энергии в кремнии. Однако, эти же качества, которые увеличивают глубину абляции на каждый импульс, также приводят к процессу, который более подвержен тепловым влияниям, таким как плавление, растрескивание, аморфизация и накопление остаточного действующего напряжения. В случае разделения кремниевых пластин на чипы, эти повышенные тепловые влияния вообще приводят к снижению прочности чипа и могут увеличить повреждения тонких пленок и чувствительной электроники на чипе. Кроме того, большая длина волны не способна достигнуть требуемой ширины пропила.

Поэтому целью данной работы явилось исследование возможности применения контролируемых методов дисковой резки на установке АОТ-7100 РгоУейш и лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ) на установке РТ-350 для прецизионного разделения кремниевых подложек, позволяющие резать кремниевые приборные пластины насквозь, без последующих операций «докалывания» как при скрайбировании. А также оценка качества поверхностей полученных чипов в производстве микродисплеев на ОСИД.

Читайте также:  Установки пожаротушения по степени автоматизации подразделяются на

Исследование процесса дисковой резки

Для резки «сэндвичей» в производстве органических микродисплеев применяется установка дисковой резки АОТ 7100 РгоУейш (Израиль) соответствующая описанным выше требованиям. В этой установке используются продвинутые алгоритмы выравнивания, компенсирующие различия в размерах и углах поворота, вызываемых искривлением и сжатием подложек. Так же она оснащена автоматической системой машинного зрения с функцией плавного цифрового видеомасштабирования, обеспечивающей оптимальное для оператора увеличение. Фронтальное расположение шпинделя и чугунное основание уменьшают вибрации и тепловыделение самой установки.

Недостатком резки диском с наружной алмазной режущей кромкой является невысокая жесткость инструмента, зависящая в основном от соотношения его размеров (толщины и внешнего диаметра). Стойкость G алмазных дисков связана с основными технологическими факторами соотношением:

где Кт — коэффициент, характеризующий материал; Ж — количество оборотов; Урез -скорость резки; т, п- постоянные величины.

Один из путей повышения жесткости инструмента — увеличение скорости его вращения. Возникающие при этом центробежные силы, направляющие режущий диск по

своему же радиусу, придают ему дополнительную жесткость, однако при большом числе оборотов (свыше 20000 об/мин) возникают вибрации режущей кромки диска и вследствие усиления гидромеханических процессов возрастает величина сколов в зоне реза. Другой путь увеличения жесткости — это применение более толстой основы режущего диска, однако при этом получается большая ширина пропила, также увеличиваются потери полупроводникового материала.

Есть два метода дисковой резки «сэндвичей»: ступенчатый — когда используются разные диски для разных материалов, и сквозной — когда применяют один диск. Для резки стекла используются диски с крупными алмазными зернами 20-60 мкм, а для кремния 4-8 мкм. При таких зернах, подбирая среднюю зернистость 14-20 мкм, толщина дисков может составлять 100-150 мкм, следует отметить, что толстое лезвие более прочное и износостойкое, реальная ширина реза таким диском может составлять 200-300 мкм, т.е. максимально допустимая.

Образцы перед процессом резки были зафиксированы на УФ-ленты Adwill D-510T. Чтобы отсоединить порезанные чипы от УФ-ленты, она облучается УФ-излучением X = 365 нм в течение 90 секунд.

Для дисковой резки были выбраны диски производства ADT (Израиль) 4S030-F617-090-М02 на металлокерамической основе, 4B776-30B1-030-APT на никелевой основе и ДАР производства КБЭТМ-СО «Планар» (Беларусь, Минск) 130.900М, 80.1700Е, 80.1700М, 90.1700М, 100.1700М и 150.2000М. Ступенчатая дисковая резка проходила в два этапа -сначала лезвиями 4S030-F617-090-MG2 и 130.900М прорезалось стекло, затем лезвиями 4B776-30B1-030-APT и 80.1700Е насквозь прорезался кремний, результаты представлены в таблице 1.

Оптимальная скорость подачи для стекла лезвием 4S030-F617-090-MG2 составила 4 мм/с при скорости вращения шпинделя 20000 оборотов в минуту, а лезвием 130.900М скорость подачи составила 1 мм/с в виду того, что при 2 мм/с сколы увеличились в размере в среднем на 5 мкм из-за вибраций режущей кромки, скорость вращения шпинделя оставалась постоянной в 15000 оборотов в минуту.

Резка кремния производилась лезвием 4B776-30B1-030-APT со скоростью подачи 4 мм/с при вращении шпинделя в 40000 оборотов в минуту и лезвием 80.1700Е при изменении таких параметров как скорость подачи с 1 мм/с до 3 мм/с и вращение шпинделя с 30000 до 50000 оборотов в минуту. Оптимальная скорость подачи для лезвия 80.1700Е составила 3 мм/с при вращении шпинделя в 50000 оборотов в минуту, в виду того что при других значениях скоростей подачи и вращений шпинделя сколы увеличивались в размере.

Результаты по резке «сэндвичей» ступенчатым методом лезвиями 48030-Р617-090-М02,

130.900М, 4B776-30B1-030-APT и 80.1700Е.

Минимум Максимум Среднее значение Среднее отклонение Стандартное отклонение

Минимум Максимум Среднее значение Среднее отклонение Стандартное отклонение

4S030-F617-090-MG2 Сколы на внешней стороне (стекло), мкм 28 39 33,8 3,2 3,8 130.900М 15 26 21,5 2,8 3,4

4B776-30B1-030-APT Сколы на обратной стороне (кремний), мкм 30 45 39,8 3,2 4,4 80.1700Е 25 35 29,8 3,4 3,9

Визуальная оценка качества поверхностей чипов после ступенчатой дисковой резки производилась при помощи оптического микроскопа модели PSM — 1000 фирмы Motic (Китай), фотографии представлены на рисунке 4.

Рис. 4. Фотографии подложки после ступенчатой дисковой резки: внешняя сторона, вид сверху, 20х (а); обратная сторона, вид снизу, 10х (б); профиль, 5х (в)

Резка «сэндвичей» производилась лезвиями 80.1700М, 90.1700М, 100.1700М и 150.2000М в соответствующей последовательности. Изменялись такие параметры как скорость подачи с 1 мм/с до 2 мм/с и вращение шпинделя с 40000 до 50000 оборотов в минуту для сквозной резки сэндвича, а для резки стекла скорость вращения шпинделя составила 28000 исходя из механики дисковой резки. Наиболее оптимальной выбрана скорость подачи 1 мм/с при вращении шпинделя в 50000 оборотов в минуту для резки кремния и 2 мм/с и 28000 оборотов в минуту для стекла, в виду того что при других значениях скоростей подачи и вращений шпинделя сколы на кремнии увеличивались в размере, а при резке стекла при более высоких оборотах (свыше 30000) возникает перегрев стекла, оно налипает на лезвие, что приводит к его разрушению. Результаты по резке «сэндвичей» представлены в таблице 2.

Качественная сквозная дисковая резка «сэндвича» со структурами ОСИД и вскрытие контактных площадок осуществляются за один технологический цикл, в отличие от ступенчатой дисковой резки. Сквозной метод более технологичен с точки зрения отсутствия дополнительных операций по замене дисков и вторичному выравниванию пластины. К тому же при ступенчатой дисковой резке край кремниевого чипа выступает за пределы защитной крышки, т.е. края чипы остаются не защищенными от различного рода механических воздействий, а это может вызвать повреждения. При сквозной дисковой резке в один проход края кремниевого чипа не выступают и даже при наличии сколов остаются защищенными стеклянной крышкой. Несмотря на более обширные сколы дисковое лезвие ДАР 150.2000М при резке большего числа подложек оказалось наиболее прочным и износостойким, сколы с обратной стороны примерно в 2 раза больше сколов с верхней стороны, это вызвано центробежными силами при вращении лезвия, которые вместе с струей охлаждающей воды цепляют осколки с верхнего слоя и выбивают больший объем снизу.

Результаты по резке «сэндвичей» сквозным методом лезвиями 80.1700М, 90.1700М,

Параметр Сколы на внешней стороне Сколы на обратной стороне

источник

Добавить комментарий