Меню Рубрики

Установка вакуумная для напыления покрытий

Вакуумное напыление

Вакуумное напыление — это категория способов напыления покрытий (не толстой плёнки) в вакуумной среде, при каковых возмещение выходит путём прямого конденсирования пара, наносимого вещества.

Различают последующие периоды вакуум напылений:

  • Создание газов (паров) с элементов, образующих покрытие;
  • Транспортировка паров к подложке;
  • Конденсация пара в подложке и развитие напыления;
  • К группе способов вакуумного напыления принадлежат приведенные ниже технологические процессы, а кроме того реактивные виды данных действий.

Методы теплового напыления:

  • Испарение электрическим лучом;
  • Испарение лазерным лучом.

Испарение вакуумной дугой:

  • Сырье улетучивается в катодном пятне гальванической дуги;
  • Эпитаксия моляльным лучом.

Ионное рассеивание:

  • Первоначальное сырье распыляется бомбардировкой гетерополярным потоком и действует на подложку.

Магнетронное распыление:

  • Напыление с гетерополярным ассистированием;
  • Имплантация ионов;
  • Фокусируемый ионный пучок.

Вакуумное покрытие используют с целью формирования в плоскости элементов, приборов и оснащения многофункциональных покрытий — проводящих, изолирующих, абразивостойких, коррозионно-устойчивых, эрозионностойких, антифрикционных, антизадирных, барьерных и т. д. Процедура применяется с целью нанесения декоративных покрытий, к примеру, при изготовлении часов с позолотой и оправ для очков. Единственный из ключевых действий микроэлектроники, где используется с целью нанесения проводящих оболочек (металлизации). Вакуумное покрытие применяется с целью получения оптических покрытий: просветляющих, отображающих, фильтрующих.

Материалами для напыления предназначаются мишени с разных веществ, металлов (титана, алюминия, вольфрама, молибдена, железа, никеля, меди, графита, хрома), их сплавов и синтезов (Si02,Ti02,Al203). В научно-техническую сферу способен быть добавлен электрохимически динамичный метан, к примеру, ацетилен (с целью покрытий, включающих углерод), азот, воздух. Хим реакция в плоскости подложки активизируется нагревом, или ионизацией и диссоциацией газа той либо другой конфигурацией газового ряда.

С поддержкой способов вакуумного напыления обретают напыления толщиной с нескольких ангстрем вплоть до нескольких микрон, как правило в последствии нанесения напыления плоскость не требует добавочного обрабатывания.

Методы вакуумного напыления

Вакуумное покрытие — перенесение элементов напыляемого материала с источника (зоны его переведения в газовую фазу) к плоскости детали исполняется согласно прямолинейным траекториям при вакууме 10-3 Па и ниже (вакуумное улетучивание) и посредством дифузного и конвекционного перенесения в плазме при давлениях 1 Па (катодное рассеивание) и 10-1-10-3 Па (магнетронное и ионно-плазменное рассеивание). Участь любой из крупиц напыляемого элемента при соударении с поверхностью детали находится в зависимости от ее энергии, температуры плоскости и хим сродства веществ оболочки и составляющих. Атомы либо молекулы, достигнувшие плоскости, имеют все шансы или отразиться от нее, или адсорбироваться и спустя определенный период времени, покинуть ее (десорбция), или адсорбироваться и формировать в плоскости поликонденсат (уплотнение). При высочайших энергиях крупиц, высокой температуре плоскости и небольшом хим сродстве, часть отображается поверхностью. Температура плоскости детали, больше которой все частички отражаются с нее и оболочка не сформируется, именуется опасной температурой напыления вакуумного, её роль находится в зависимости от природы веществ оболочки и плоскости детали и от состояния плоскости. При весьма небольших струях испаримых частиц, в том числе и в случае если данные частички в плоскости адсорбируются, однако нечасто сталкиваются с иными подобными же частичками, они десорбируются и не могут формировать зачатков, т.е. оболочка никак не увеличивается. Опасной частотой струи испаримых элементов для переданной температуры плоскости именуется минимальная уплотненность, при которой частички конденсируются и образовывают пленку.

Метод вакуумного напыления

Вакуумно-плазменное напыление

Согласно данному способу тонкие оболочки толщиной 0,02-0,11 мкм выходят в следствии нагрева, улетучивания и осаждения элемента на подложку в изолированной камере при сокращенном давлении газа в ней. В камере с поддержкой вакуумного насоса формируется максимальное влияние остаточных газов примерно 1,2х10-3 Па.

Рабочая камера предполагает собою металлический либо стеклянный колпак с концепцией внешнего водяного остужения. Камера размещена в основной плите и формирует с ней вакуумно-непроницаемое объединение. Адгерент, в котором проводится напыление, зафиксирован на держателе. К подложке прилегает электронагреватель, раскаляющий подложку вплоть до 2500-4500 оС, с целью усовершенствования адгезии напыляемой оболочки. Теплообменник содержит в себе отопитель и ресурс напыляемого элемента. Переломная затворка закрывает течение паров с испарителя к подложке. Покрытие длится в ходе времени, когда заслонка не закрыта.

Для нагрева напыляемого элемента в основном применяется 2 вида испарителей:

  • Прямонакальный проволочный или ленточный испаритель, изготавляемый с вольфрама либо молибдена;
  • Электронно-радиальные испарители с нагревом испаримого элемента электрической бомбардировкой.

Для напыления пленок с многокомпонентых веществ используется подрывное улетучивание. При данном теплообменник разогревается вплоть до 20000 оС и посыпается порошком из смеси испаримых веществ. Подобным способом удаётся обретать композиционные покрытия.

Некоторые известные вещества с целью покрытий (к примеру, золото) обладают плохой адгезией с кремнием и иными полупроводниковыми веществами. В случае некачественной адгезии испаримого вещества к подложке, улетучивание прокладывают в 2 слоя. Вначале сверху подложки наносят слой сплава, обладающего отличной адгезией к полупроводниковой подложке, к примеру, Ni, Cr либо Ti. Далее напыляют главный пласт, у которого прилипание с подслоем ранее превосходное.

Ионно-вакуумное напыление

Данный способ состоит в разбрызгивании вещества наносимого элемента, пребывающего под отрицательным потенциалом, вследствие бомбардировки ионами пассивного газа, появляющихся в ходе возбужденности перетлевающего разряда изнутри конструкции вакуумного напыления.

Материал негативно заряженного электрода распыляется перед воздействием ударяющихся о него ионизованных атомов пассивного газа. Данные пульверизированные промежуточные атомы и осаждаются сверху подложки. Основным превосходством ионно-вакуумного способа напыления представляется отсутствие потребности нагрева испарителя вплоть до высочайшей температуры.

Механизм происхождения тлеющего разряда. Разлагающийся разряд прослеживается в камерах с невысоким давлением газа меж 2-я железными электродами, на которые подается большой вольтаж вплоть до 1-4 кВ. При данном отрицательный электрод как правило заземлен. Катодом представляется мишень с распыляемого вещества. С камеры заранее откачивается воздушное пространство, далее запускается газ вплоть до давления 0,6 Па.

Читайте также:  Установка подшипника скольжения в корпус

Тлеющий разряд приобрел собственное наименование из-за присутствия в мишени (катоде) так именуемого перетлевающего свечения. Данное сверкание обуславливается огромным падением возможности в тесном пласте объёмного заряда возле катода. К области TC прилегает сфера фарадеева тёмного пространства, переходящая в позитивный столбик, что представляется самостоятельной долею разряда, никак не подходящей с других слоев разряда.

Вблизи анода, кроме того, существует легкий пласт объёмного заряда, именуемый анодным пластом. Прочая часть межэлектродного интервала захвачена квазинейтральной плазмой. Таким способом, в камере прослеживается растровое сверкание с чередующихся тёмных и ясных полос.

Для прохождения тока меж электродами нужна стабильная эмиссия электронов катода. Данную эмиссию допускается спровоцировать по принуждению посредством нагрева катода, либо облучения его ультрафиолетовым светом. Такого рода разряд представляется несамостоятельным.

Вакуумное напыление алюминия

В некоторых случаях, особенно при напылении пластика, применяется металлизирование алюминием, а этот металл — материал довольно легкий и никак не износоустойчивый, в данном случае необходимы некоторые особые научно-технические приемы. Пользователю следует понимать, что подобные составляющие правильнее всего оберегать от засорения сразу же по прошествии штамповки, а кроме того, вредно использовать разные смазывающие порошки и присыпки в пресс-фигурах.

Вакуумное напыление алюминия

Вакуумное напыление металлов

Металлы, испаряющиеся при температуре ниже места их плавления, допускается разогревать непосредственным прохождением тока, серебро и золото испаряют в челноках с тантала либо вольфрама. Покрытие обязано изготавливаться в камере с давлением

источник

Вакуумное напыление

Среди методов нанесения защитных покрытий, основанных на воздействии на поверхность детали потоков частиц и квантов с высокой энергией, большое значение имеют вакуумные ионноплазменные методы. Характерной их чертой является прямое преобразование эклектической энергии в энергию технологического воздействия, основанного на структурно-фазовых превращениях в осажденном на поверхности конденсате или в самом поверхностном слое детали, помещенной в вакуумную камеру.

Основные достоинства данных методов: возможность создания высокого уровня физико-механических свойств материалов в тонких поверхностных слоях, нанесение плотных покрытий из тугоплавких химических соединений, которые невозможно получить традиционными методами.

Кроме того, эти методы обеспечивают:

  • высокую адгезию покрытия к подложке;
  • равномерность покрытия по толщине на большой площади;
  • варьирование состава покрытия в широком диапазоне в пределах одного технологического цикла;
  • высокую чистоту поверхности покрытия;
  • экологическую чистоту производственного цикла.

Методы вакуумного ионно-плазменного напыления:

  • полимеризация в тлеющем разряде;
  • ионное осаждение (в триодной распылительной системе, диодной распылительной системе, с использованием разряда в полом катоде);
  • электродуговое испарение;
  • катодное распыление (на постоянном токе, высокочастотное);
  • химическое осаждение в плазме тлеющего разряда. Современные вакуумные ионно-плазменные методы упрочнения поверхностей деталей машин и нанесения покрытий включают следующие этапы:
  1. генерацию корпускулярного потока вещества;
  2. его активизацию, ускорение и фокусировку;
  3. конденсацию и внедрение в поверхность деталей (подложек). Генерация корпускулярного потока вещества возможна его испарением (сублимацией) за счет нагрева и распылением. Нагрев испаряемого вещества может осуществляться:
  • за счет выделения Джоулева тепла при прохождении электрического тока через испаряемый материал или через испаритель;
  • в результате бомбардировки поверхности металла ускоренным потоком электронов (электронно-лучевой нагрев) или квантами электромагнитного излучения (лазерный нагрев);
  • высокочастотным электрическим магнитным полем (индукционный нагрев);
  • электрической дугой.

Выбор способа нагрева и конструкция испарения зависят от природы испаряемого материала, его исходной формы (гранулы, порошок, проволока), требуемой скорости испарения, постоянства во времени и т. д.

Наибольшее распространение получил нагрев при помощи электронной бомбардировки, что позволяет достигать температуры 4000 °С и плотности энергии в луче до 5 · 10 8 Вт/см2.

Электронно-лучевой способ нагрева состоит в том, что на образец металла направляют поток электронов от катода, ускоренных электрическим полем до энергии 5…25 кэВ. Поток электронов (электронный луч) получают с помощью электронно-лучевых пушек.

Средняя энергия частиц в потоке, образованном испарением, невысока, поэтому необходимо увеличить энергию частиц, прибывающих на подложку. Простым способом ускорения заряженных частиц является воздействие на них электрическим полем. Однако для создания потоков в основном используются нейтральные частицы, поэтому их активацию можно осуществлять воздействием на атомы потоком электронов, ионов или фотонов.

В результате образования активированного корпускулярного потока в контакт с подложкой детали входят нейтральные частицы (возбужденные и невозбужденные) с высокой энергией и ионы. Процесс взаимодействия такого сложного по составу потока с поверхностью металла сводится к протеканию явлений конденсации, внедрения и распыления.

Ионное распыление

Ионные распылители разделяют на две группы:

  1. плазмоионные – в них мишень находится в газоразрядной плазме, создаваемой с помощью тлеющего, дугового и высокочастотного разряда. Распыление происходит в результате бомбардировки мишени ионами, извлекаемыми из плазмы;
  2. автономные источники без фокусировки и с фокусировкой ионных пучков, бомбардирующих мишень.

В наиболее простом случае система распыления состоит из двух электродов, помещенных в вакуумную камеру. Распыляемую мишень из наносимого материала располагают на катоде. На другом электроде на расстоянии в несколько сантиметров от катода устанавливают детали (подложки). Камеру вакуумируют, а затем наполняют рабочим газом (чаще всего аргоном) до давления 1,33 Па. На электрод с подложки подают отрицательный потенциал, зажигают газоразрядную плазму и бомбардировкой ионами производят очистку их от поверхностных загрязнений. Далее отрицательный потенциал прикладывают к мишени и распыляют ее. Распыляемые частицы движутся через плазму разряда, осаждаются на деталях и

образуют покрытие. Большая часть энергии ионов, бомбардирующих мишень (до 25 %), переходит в тепло, которое отводится водой, охлаждающей катод.

Читайте также:  Установка зубной коронки на штифт

Магнетронное распыление

Нанесение покрытий в вакууме с помощью магнетронных систем заключается в распылении твердой мишени напыляемого материала ионами инертного газа, образующимися в плазме аномального тлеющего разряда при наложении на него магнитного поля, силовые линии которого ортогонально пересекают силовые линии магнитного поля.

Основными элементами магнетрона являются катод-мишень, анод и магнитная система. Силовые линии магнитного поля замыкаются между полюсами магнитной системы. Поверхность мишени, расположенная между системами входа и выхода силовых линий магнитного поля, интенсивно распыляется и имеет вид замкнутой дорожки, геометрия которой определяется формой полюсов магнитной системы. При подаче постоянного напряжения между мишенью (отрицательный потенциал) и анодом (положительный потенциал) возникает неоднородное электрическое поле и возбуждается тлеющий разряд. Наличие замкнутого магнитного поля у распыляемой поверхности мишени позволяет локализовать плазму разряда непосредственно у мишени. Эмитированные с катода под действием ионной бомбардировки электроны захватываются магнитным полем, и им сообщается сложное циклоидальное движение по замкнутым траекториям у поверхностей мишени. Электроны оказываются как бы в ловушке, создаваемой с одной стороны магнитным полем, возвращающим их на катод, а с другой стороны – поверхностью мишени, их отталкивающей. Электрон циркулирует в этой ловушке до тех пор, пока не произойдет несколько ионизирующих столкновений с атомами рабочего газа, в результате которых он потеряет полученную от электрического поля энергию. Таким образом, большая часть энергии электрона, прежде чем он попадает на анод, используется на ионизацию и возбуждение, что значительно увеличивает эффективность процесса ионизации и приводит к возрастанию концентрации положительных ионов у поверхности мишени. Это, в свою очередь, приводит к увеличению интенсивности ионной бомбардировки мишени и значительному росту скорости осаждения покрытия.

Ионное осаждение покрытий

Ионное осаждение покрытий осуществляется методами, в которых осаждаемая пленка подвергается интенсивному воздействию ионного компонента корпускулярного потока, обеспечивающего изменения в структуре и свойствах как переходной зоны, так и самого покрытия. Такой результат возможен либо при высокой степени ионизации корпускулярного потока (газообразного или металлического) осаждаемого вещества, либо при высокой энергии ионного компонента корпускулярного потока.

По типу источника генерации металлического компонента потока различают ионно-термические системы распыления и холодные системы. В первых системах перевод переносимого материала из твердого в парообразное состояние происходит в результате термического нагрева, во вторых – распылением с поверхности интегрально холодной мишени (катода).

Эти методы позволяют получать покрытия с высокими служебными характеристиками. В машиностроении они нашли применение для получения износостойких и коррозионно-стойких покрытий как из чистых металлов, так и из сплавов. Недостатком этих методов является низкий процент ионизированных частиц в общем потоке испаряемого материала, что влияет на адгезионные свойства покрытия и условия протекания реакции с реактивным газом.

Ионно-диффузионное насыщение

Система ионного насыщения представляет собой вакуумную камеру с двухэлектродной электрической схемой: катод-электрод с деталями; второй электрод (анод) – заземленный корпус вакуумной камеры. Для проведения процесса насыщения в вакуумную камеру подается легирующий материал (элемент или химическое соединение) в газообразном (парообразном) состоянии, а к деталям прикладывается отрицательный потенциал от 300 до 1000 В. Поверхность детали бомбардируется положительными ионами легирующего элемента из газоразрядной плазмы, что позволяет значительно сократить длительность процесса насыщения поверхности.

Этот метод широко применяется при азотировании сталей и металлов и имеет преимущества перед печами обычного газового азотирования:

  • сокращение длительности цикла в 3…5 раз;
  • уменьшение деформации деталей в 3…5 раз;
  • возможность проведения регулируемых процессов азотирования с получением слоев с заданным составом и структурой;
  • возможность уменьшения температуры процесса азотирования до 350…400 °С, что позволяет избежать разупрочнения материала сердцевины изделий;
  • простота защиты отдельных участков деталей от азотирования;
  • снижение удельных расходов электрической энергии в 1,5…2 раза и рабочего газа в 30…50 раз.

Ионная имплантация (легирование)

В этом процессе тонкий поверхностный слой изделия насыщается тем элементом, потоком ионов которого поверхность обрабатывается (бомбардируется). Имплантированный элемент (ионы) может входить в кристаллическую решетку основы в виде твердого тела или образовывать мелкокристаллические выделения химических соединений с компонентами материала основы. Кроме того, при внедрении иона в кристаллическую решетку основы в ней инициируется смещение атомов, приводящих к образованию большого количества дефектов кристаллической решетки. Толщина этого насыщенного дефектами и вследствие этого упрочненного слоя во много раз превышает глубину проникновения ионов. Толщина модифицированного слоя составляет несколько микрон. Имплантация ионов существенно увеличивает износостойкость поверхности и увеличивает антикоррозионные свойства верхнего обработанного слоя металла за счет его легирования.

Нанесение покрытий с помощью электродугового разряда в вакууме

Генерация ионных и атомных потоков в устройствах данного типа осуществляется с помощью вакуумного дугового разряда, который горит в вакуумной камере, между двух электродов: охлаждаемого катода и анода непосредственно в парах распыляемого материала.

Условия формирования дугового разряда таковы, что он концентрируется на поверхности интегрально холодного ( Конструкция и принцип действия ННВ-6.6-И1

Установка (рис. 3) состоит из следующих основных узлов: корпус вакуумной камеры со шкафом управления; электроды токоподводящие (катоды); система водоохлаждения; вакуумная система; механизм вращения с предметным столиком; источники питания.

Корпус установки имеет вид вертикального цилиндрического сосуда с боковым проемом, который закрывает дверца. Он выполнен с двойными стенками, образующими полость водоохлаждения (или подогрева при откачке камеры). На боковых стенках корпуса установлены два токоподводящих электрода. Корпус с дверцей образует вакуумную камеру. Дверца также имеет двойные стенки, которые образуют полость водоохлаждения. На дверце или на верхней плоскости корпуса установлен третий токоподводящий электрод.

Электрод токоподводящий, представляющий собой электродуговой испаритель, состоит из корпуса и держателя, которые электрически изолированы друг от друга, и защитного кожуха.

Читайте также:  Установка и настройка compton linux

Система водоохлаждения состоит из панели водораспределительной и трубопроводов. В панели предусмотрена воронка для визуального контроля протока воды, а также датчики сигнализаторов уровня. Расход воды регулируют вентили, установленные на коллекторе.

Вакуумная система обеспечивает создание в рабочей камере необходимого рабочего давления. Регулирование остаточного давления выполняется с помощью автоматического регулятора напуска рабочего газа.

Рис. 3. Внешний вид (а) и схема (б) установки ННВ-6.6-И1: 1 – вакуумная камера; 2 – катод первый; 3 – катод второй; 4 – катод третий; 5 – напыляемые изделия; 6 – клапан подачи газа; 7 – клапан для вакуумирования камеры; 8 – предметный столик; 9 – механизм вращения

Механизм вращения имеет электромеханический привод, состоящий из электродвигателя постоянного тока и редуктора, соединенных клиноременной передачей. Электродвигатель позволяет изменять число оборотов и направление вращения.

Основание предназначено для монтажа на нем камеры, вакуумной системы, системы водоохлаждения и подогрева. В тумбе основания расположен механизм вращения и блоки поджига дуги.

Электродвигатель установлен на плите, которая крепится к тумбе основания. Вакуумная система, панель водоохлаждения расположены на площадке основания. В площадке под съемным листом размещены провода цепей управления и силовые цепи.

Электрическая часть (шкаф управления) служит для электроснабжения установки и управления технологическим процессом. Электроснабжение производится от трехфазной сети напряжением 380 В, цепи управления питаются напряжением 220 В и частотой 50 Гц.

Высоковольтный источник питания, включающий тиристорный преобразователь напряжения, высоковольтный трансформатор и выпрямитель, обеспечивает регулирование напряжения в пределах от 100 до 1500 В.

Источник опорного напряжения, включающий тиристорный преобразователь (общий с высоковольтным источником), трансформатор и выпрямитель, обеспечивает регулирование напряжения от 20 до 280 В.

Для получения при нанесении покрытий нитридов металла в установке предусмотрена система напуска рабочего газа (азота). Система состоит из клапана с электромагнитным приводом, клапана напускного регулируемого (автоматического натекателя) и электронного блока управления.

Установка МАП-2 предназначена для нанесения и снятия защитных, жаростойких, износостойких и других видов покрытий ионно-плазменным способом в вакууме на деталях, имеющих ось вращения (рис. 4).

Суть метода ионно-плазменного напыления в том, что в вакуумной камере с остаточным давлением 2·10–4 мм рт. ст. (почти на два порядка выше, чем необходимо для электронно-лучевого напыления) зажигается дуга между находящимся в центре цилиндрическим катодом и расположенным по периферии кольцевым анодом. Ток дуги нагревает локально (в катодном пятне) катод настолько, что его материал испаряется и ионизируется. В промежутке между катодом и анодом расположены детали (лопатки газотурбинного двигателя), на которые тоже подается электрическое напряжение, и ионы попадают не только на анод, но и на лопатки, ускоряясь электрическим полем.

Рис. 4. Внешний вид (а) и схема (б) установки МАП-2: 1 – вакуумная камера; 2 – магнитная катушка; 3 – анод; 4 – катод; 5 – привод катода; 6 – изделия (лопатки турбин ГТД); 7 – радиальный плазменный поток; 8 – планетарный привод вращения деталей

Установка МАП-2 оснащена современной системой управления на базе промышленного компьютера и PLC-контроллеров, новыми инверторными блоками питания на базе IGBT-технологий для ионного источника и для дугового испарителя. В установке предусмотрена 3-канальная система газонапуска с возможностью автоматического регулирования суммарного давления смеси газов в технологической камере, что резко расширяет функциональные и технологические возможности установки, а также увеличивает ее производительность. Полная автоматизация процесса с высокоточной стабилизацией технологических параметров посредством современных устройств питания и управления обеспечивает воспроизводимость процессов с повышением качества покрытий. Применение в электрооборудовании элементной базы лучших мировых производителей увеличивает надежность работы установки.

Основные технические характеристики установки:

  • диаметр описанной окружности напыляемой детали (мм) – 120;
  • максимальная длина изделия (мм) – 150;
  • давление в камере при нанесении покрытий (Па) – 2,6…6,6·10–3.
  • масса установки (кг) – 3000;
  • габаритные размеры (мм) – 410025002600.

Установка ВИАМ МЭШ-50 предназначена для высокоскоростного ионно-плазменного осаждения многослойных защитных и упрочняющих покрытий на внешнюю поверхность деталей машин. Толщины наносимых покрытий от единиц микрон до 120…200 мкм. Установка по своим технологическим возможностям не имеет аналогов и рекомендуется для нанесения многокомпонентных конденсированных, диффузионных и конденсационно-диффузионных защитных покрытий на лопатки турбин и компрессоров авиационных транспортных и энергетических силовых установок, а также для нанесения упрочняющих и защитных покрытий на детали машин, режущий и штамповый инструмент.

Применение вакуумных ионно-плазменных технологий модифицирования поверхностей и нанесения функциональных покрытий

Ионно-плазменные технологии применяются для нанесения износостойких, коррозионно-стойких, жаропрочных, электропроводящих, декоративно-защитных покрытий титана, циркония, хрома, никеля, алюминия, молибдена, вольфрама и других элементов, а также их двойных и тройных композиций; сплавов сложных составов, продуктов синтеза (оксиды, нитриды, карбиды) на конструкционные, инструментальные стали и твёрдые сплавы при температуре не более 70 °С.

Вакуумные ионно-плазменные технологии обеспечивают:

  • получение декоративных покрытий, альтернативных покрытиям из драгоценных металлов;
  • нанесение декоративных покрытий на конструкционные неметаллические материалы (стекло, керамику, пластмассу, углепластик);
  • нанесение коррозионно-стойких покрытий на низколегированные и углеродистые стали для обще- и всеклиматического исполнения;
  • получение износостойких покрытий для различных контактных пар трения, в том числе титановых;
  • нанесение переходных покрытий на разнородные материалы;
  • нанесение многослойных износостойких покрытий на основе TiN, ZrN, TiZrAlN, TiAlN на режущий инструмент от 0,3 мм, в том числе для обработки титановых сплавов;
  • нанесение несплошных покрытий на режущий инструмент;
  • получение индикаторных покрытий для мерительного инструмента;
  • ионное азотирование с нанесением функциональных покрытий;
  • модифицирование поверхности жаропрочных титановых и алюминиевых сплавов с получением на поверхности интерметаллидов типа NiAl; Ni3Al; TiAl; Ti3Al; TiAl3.

источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *