Меню Рубрики

Установки для прецизионной фотолитографии

Фотолитография

Прецизионная фотолитография — процесс формирования на поверхности подложки элементов приборов микроэлектроники с помощью чувствительных к высокоэнергетическому излучению покрытий, способных воспроизводить заданное взаимное расположение и конфигурацию этих элементов.

Виды фотолитографии:

1. Контактная

Контактная фотолитография традиционно используется для решения задач R&D, пилотного и мелкосерийного производства с топологической нормой порядка 1 мкм. Оборудование для контактной литографии значительно проще и дешевле оборудования для проекционной, лазерной и электронно-лучевой литографии. В процессе контактной литографии фотошаблон непосредственно соприкасается с полупроводниковой пластиной, на поверхность которой нанесён фоторезист. Засветка рисунка топологии происходит при помощи ртутной лампы. Длина волны излучения лампы определяет минимальный размер топологического элемента на подложке (длины волны от 220-280нм — DUV до 350-400нм — UV). Типичное значение разрешения для современных установок контактного совмещения-экспонирования:

Основным недостатком контактной фотолитографии является ограниченное число контактных циклов (как правило, не более и уменьшение показателя выхода годных изделий с ростом числа контактных циклов. Чтобы минимизировать ущерб от контактирования был разработан метод литографии с зазором, где фотошаблон отстоит от пластины на несколько микрометров. Метод позволяет экспонировать целую пластину за одну засветку, что делает его незаменимым при серийном производстве элементов с топологической нормой порядка 1 мкм.

2. Проекционная фотолитография

Проекционная фотолитография используется при серийном производстве полупроводниковых приборов. В данном случае использование контактной литографии невозможно, так как минимальный размер топологического элемента современных приборов (менее 20нм) меньше предельного разрешения систем контактной литографии. Кроме того, диаметр используемых на производстве пластин намного больше (300мм для кремния) — совмещение эскпонирование и засветку пластины реализовать гораздо сложнее, а контакт с шаблоном сильно влияет на воспроизводимость процесса. Поэтому на производстве устанавливают машины, работающие по проекционному принципу: изображение с фотошаблона переносится (проецируется) на полупроводниковую подложку с помощью оптических систем — проекционных объективов. При этом засвечивается не вся пластина, а только один элемент за шаг. Для засветки всей пластины необходимо количество шагов равное количеству элементов на пластине. Поэтому проекционные установки часто называют «stepper» от англ. — шаг.

Преимущества метода заключается в отсутствии механического контакта фотошаблона со слоем фоторезиста на подложке: повреждения фотошаблона не происходит, и его срок службы значительно увеличивается. Также благодаря тому, что проецирование происходит через объектив (обычно десятикратный), и в установках возможно использовать иммерсионную оптику, рабочее разрешение может достигать значений менее 20нм.

источник

Оператор прецизионной фотолитографии

§ 82. Оператор прецизионной фотолитографии 2-го разряда

Характеристика работ. Подготовка пластин кремния, заготовок масок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин с маскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжиривание и декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительного покрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления, неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушка заготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случае необходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированном оборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнему виду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытье посуды. Приготовление хромовой смеси.

Должен знать: наименование и назначение важнейших частей и принцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильный шкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборов для контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работу микроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правила хранения и использования их; основные химические свойства применяемых материалов.

Примеры работ

1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов — изготовление методом фотохимического травления.

2. Заготовки масок — обезжиривание, декапирование, промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.

3. Заготовки печатных плат — зачистка, декапирование, промывание, сушка.

4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методом фотохимфрезерования — обезжиривание, сушка.

5. Маски, пластины, фотошаблоны — промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.

6. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» — сушка и полимеризация фоторезиста.

7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны — изготовление фотохимическим методом.

8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты — обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.

9. Подложки ситалловые — снятие фоточувствительного слоя.

10. Стекла 700 x 700 x 3 — очистка и обработка ацетоном, полив вручную гравировальной жидкостью.

§ 83. Оператор прецизионной фотолитографии 3-го разряда

Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине с соответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установках совмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливание фотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов и многокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов) по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка, отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов для проявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах, органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой. Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерение вязкости фоторезиста.

Должен знать: назначение, устройство, правила и способы подналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов, ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров и вискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травления различных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времени экспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и их компонентов.

Примеры работ

1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины — получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление, окрашивание, промывание и т.д.).

2. Маски биметаллические — изготовление методом фотохимического травления.

3. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» — нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.

4. Микротрасформаторы планарные — проведение последовательного ряда фотохимических операций.

5. Пластины — нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста в соляной кислоте.

6. Пластины кремния — нанесение, сушка, совмещение некритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.

7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методом фотохимфрезерования — проявление и удаление фоторезиста.

8. Пленочные схемы СВЧ — проведение цикла фотолитографических операций.

9. Подложки ситалловые — травление, экспонирование.

§ 84. Оператор прецизионной фотолитографии 4-го разряда

Характеристика работ. Проведение всего цикла фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью совмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных стекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования, проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах технологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях. Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью профилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотности проколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементов под микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и элементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе эксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестация геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью микроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне — с точностью +/- 0,2 мкм. Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей в работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.

Читайте также:  Установка программ на microsd

Должен знать: устройство, правила наладки и проверки на точность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящих в технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способы приготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательность технологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы); причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной их резкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявления фоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных и рабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.

Примеры работ

1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементов более или равными 10 мкм — проведение всего цикла фотолитографических операций.

2. Заготовки масок — электрохимическое никелирование.

3. Микротранзисторы и твердые схемы — проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

4. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» — проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.

5. Микросхемы — проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

6. Пластина — проведение полного цикла фотолитографических операций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины — защита.

7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии — контроль качества поверхности под микроскопом МБС.

8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм — контроль качества проявления, травления.

9. Платы печатные, микросхемы СВЧ — травление.

10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ — нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику; определение толщины слоя фоторезиста.

11. Поликремний — проведение полного цикла фотолитографии.

12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефа из напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительным совмещением заданной точности.

13. Проекционная фотолитография — подбор экспозиции и резкости на установках проекционной фотолитографии.

14. Сетки мелкоструктурные — изготовление методом фотолитографии.

15. Сетки молибденовые и вольфрамовые — травление.

16. Теневая маска для цветных кинескопов — контроль качества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов под микроскопом.

17. Фотошаблоны эталонные — изготовление.

18. Фотошаблоны — контроль качества поверхности под микроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортными данными под микроскопом МИИ-4.

§ 85. Оператор прецизионной фотолитографии 5-го разряда

Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностью совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения +/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.

Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую и оптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определения режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и совмещенных микросхем; правила настройки и регулирования контрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы на установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре, денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения; основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.

Примеры работ

1. Магнитные интегральные схемы — проведение полного цикла фотолитографических операций.

2. Маски теневые и совмещенные микросхемы — проведение полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой режимов работы.

3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами элементов менее 10 мкм — проведение всего цикла фотолитографических операций.

4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, — вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль готовых пластин.

5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методом химфрезерования — нанесение фоторезиста на заготовку с определением равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением фотошаблона.

6. Транзистор, диоды — совмещение с точностью от 2 мкм и более.

7. Фоторезист — фильтрация через специальные приспособления.

8. Фотошаблоны — контроль качества под микроскопом с разбраковкой по 5 — 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.

9. Фотошаблоны рабочие и эталонные — определение рассовмещения комплекта на установке сравнения фотошаблонов.

10. Фотошаблоны эталонные — подготовка к контактной печати.

§ 86. Оператор прецизионной фотолитографии 6-го разряда

Характеристика работ. Проведение всего цикла фотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различных типов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм. Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионной фотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа со всеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типов ламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимов работы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов в процессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маске с помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопий масок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путем негативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 — 2 мкм.

Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на точность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические и физические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методы определения последовательности и режимов фотолитографических процессов для микросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные с выбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии; методы определения пленок на интерферометрах.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Микротранзисторы и твердые схемы — проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов с размерами элементов менее 5 мкм — контроль после задубливания, травления, фотолитографии; классификация по видам брака.

3. Фотошаблоны образцовые прецизионные — изготовление опытных партий.

4. Фотошаблоны эталонные — определение пригодности изготовленного комплекта для производства рабочих копий.

§ 87. Оператор прецизионной фотолитографии 7-го разряда

Характеристика работ. Проведение полного цикла фотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем (СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм и размером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения и мультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливания фоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции на совмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати, качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ для обеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектности фоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерение линейных размеров на автоматическом измерителе типа «Zeltz». Входной контроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его к работе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.

Читайте также:  Установка ленты на транспортер

Должен знать: конструкцию и принцип работы фотолитографического оборудования с программным управлением; правила пользования автоматической системой управления движением пластин; методы корректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий по результатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) — изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.

2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм — проведение полного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качества выполнения их перед проведением плазмохимических процессов.

3. Рамка контактная — проведение полного цикла фотолитографических операций.

4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм — проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.

Комментарии к профессии

Приведенные тарифно-квалификационные характеристики профессии «Оператор прецизионной фотолитографии» служат для тарификации работ и присвоения тарифных разрядов согласно статьи 143 Трудового кодекса Российской Федерации. На основе приведенных выше характеристик работы и предъявляемых требований к профессиональным знаниям и навыкам составляется должностная инструкция оператора прецизионной фотолитографии, а также документы, требуемые для проведения собеседования и тестирования при приеме на работу. При составлении рабочих (должностных) инструкций обратите внимание на общие положения и рекомендации к данному выпуску ЕТКС (см. раздел «Введение»).

Обращаем ваше внимание на то, что одинаковые и схожие наименования рабочих профессий могут встречаться в разных выпусках ЕТКС. Найти схожие названия можно через справочник рабочих профессий (по алфавиту).

источник

Удостоверение «Оператор прецизионной фотолитографии» в Саранске

Характеристика работ. Подготовка пластин кремния, заготовокмасок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин смаскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжириваниеи декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительногопокрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления,неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушказаготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случаенеобходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированномоборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнемувиду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытьепосуды. Приготовление хромовой смеси.

Должен знать: наименование и назначение важнейших частей ипринцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильныйшкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборовдля контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работумикроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правилахранения и использования их; основные химические свойства применяемыхматериалов.

Примеры работ

1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов -изготовление методом фотохимического травления.

2. Заготовки масок — обезжиривание, декапирование,промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.

3. Заготовки печатных плат — зачистка, декапирование, промывание,сушка.

4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методомфотохимфрезерования — обезжиривание, сушка.

5. Маски, пластины, фотошаблоны — промывание, сушка,нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.

6. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол»- сушка и полимеризация фоторезиста.

7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны -изготовление фотохимическим методом.

8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты -обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.

9. Подложки ситалловые — снятие фоточувствительного слоя.

10. Стекла 700 x 700 x 3 — очистка и обработка ацетоном,полив вручную гравировальной жидкостью.

§ 83. Оператор прецизионной фотолитографии 3-го разряда

Характеристика работ. Проведение фотолитографическихопераций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине ссоответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установкахсовмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливаниефотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов имногокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов)по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка,отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов дляпроявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах,органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой.Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерениевязкости фоторезиста.

Должен знать: назначение, устройство, правила и способыподналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов,ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров ивискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травленияразличных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времениэкспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и ихкомпонентов.

Примеры работ

1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины -получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление,окрашивание, промывание и т.д.).

2. Маски биметаллические — изготовление методомфотохимического травления.

3. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол»- нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.

4. Микротрасформаторы планарные — проведениепоследовательного ряда фотохимических операций.

5. Пластины — нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста всоляной кислоте.

6. Пластины кремния — нанесение, сушка, совмещениенекритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.

7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методомфотохимфрезерования — проявление и удаление фоторезиста.

8. Пленочные схемы СВЧ — проведение циклафотолитографических операций.

9. Подложки ситалловые — травление, экспонирование.

§ 84. Оператор прецизионной фотолитографии 4-го разряда

Характеристика работ. Проведение всего циклафотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностьюсовмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложныхстекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования,проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределахтехнологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушкафоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях.Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощьюпрофилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотностипроколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементовпод микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям иэлементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессеэксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестациягеометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощьюмикроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне — с точностью +/- 0,2 мкм.Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей вработе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.

Должен знать: устройство, правила наладки и проверки наточность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящихв технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способыприготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательностьтехнологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы);причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной ихрезкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявленияфоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных ирабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.

Примеры работ

1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементовболее или равными 10 мкм — проведение всего цикла фотолитографических операций.

2. Заготовки масок — электрохимическое никелирование.

3. Микротранзисторы и твердые схемы — проведение полногоцикла фотохимических операций при изготовлении.

4. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол»- проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.

5. Микросхемы — проведение полного цикла фотохимическихопераций при изготовлении.

6. Пластина — проведение полного цикла фотолитографическихопераций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины — защита.

7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии — контролькачества поверхности под микроскопом МБС.

8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм -контроль качества проявления, травления.

Читайте также:  Установка кронштейна на полотенцесушитель

9. Платы печатные, микросхемы СВЧ — травление.

10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ -нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику;определение толщины слоя фоторезиста.

11. Поликремний — проведение полного цикла фотолитографии.

12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефаиз напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительнымсовмещением заданной точности.

13. Проекционная фотолитография — подбор экспозиции ирезкости на установках проекционной фотолитографии.

14. Сетки мелкоструктурные — изготовление методомфотолитографии.

15. Сетки молибденовые и вольфрамовые — травление.

16. Теневая маска для цветных кинескопов — контролькачества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов подмикроскопом.

17. Фотошаблоны эталонные — изготовление.

18. Фотошаблоны — контроль качества поверхности подмикроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортнымиданными под микроскопом МИИ-4.

§ 85. Оператор прецизионной фотолитографии 5-го разряда

Характеристика работ. Проведение фотолитографическихопераций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией иассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих изполупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами;выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей,требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций намногослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностьюсовмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведенияфотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемыхматериалов и результатов выполнения технологических операций, с которыхпоступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения+/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочейповерхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплектаэталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблоновна микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачноститеневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качествафотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерностикрая, контроль соответствия топологии на пластине конструкторскойдокументации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процессафотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветногокинескопа.

Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую иоптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определениярежимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых исовмещенных микросхем; правила настройки и регулированияконтрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы наустановке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре,денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения;основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.

Примеры работ

1. Магнитные интегральные схемы — проведение полного циклафотолитографических операций.

2. Маски теневые и совмещенные микросхемы — проведениеполного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкойрежимов работы.

3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерамиэлементов менее 10 мкм — проведение всего цикла фотолитографических операций.

4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, -вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контрольготовых пластин.

5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методомхимфрезерования — нанесение фоторезиста на заготовку с определениемравномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещениемфотошаблона.

6. Транзистор, диоды — совмещение с точностью от 2 мкм иболее.

7. Фоторезист — фильтрация через специальныеприспособления.

8. Фотошаблоны — контроль качества под микроскопом сразбраковкой по 5 — 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.

9. Фотошаблоны рабочие и эталонные — определение рассовмещениякомплекта на установке сравнения фотошаблонов.

10. Фотошаблоны эталонные — подготовка к контактной печати.

§ 86. Оператор прецизионной фотолитографии 6-го разряда

Характеристика работ. Проведение всего циклафотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различныхтипов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм.Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионнойфотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа совсеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типовламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимовработы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов впроцессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маскес помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопиймасок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путемнегативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 -2 мкм.

Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки наточность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические ифизические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методыопределения последовательности и режимов фотолитографических процессов длямикросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные свыбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии;методы определения пленок на интерферометрах.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Микротранзисторы и твердые схемы — проведение полногоцикла фотохимических операций при изготовлении.

2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов сразмерами элементов менее 5 мкм — контроль после задубливания, травления,фотолитографии; классификация по видам брака.

3. Фотошаблоны образцовые прецизионные — изготовлениеопытных партий.

4. Фотошаблоны эталонные — определение пригодностиизготовленного комплекта для производства рабочих копий.

§ 87. Оператор прецизионной фотолитографии 7-го разряда

Характеристика работ. Проведение полного циклафотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем(СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм иразмером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения имультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливанияфоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции насовмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати,качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ дляобеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектностифоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерениелинейных размеров на автоматическом измерителе типа «Zeltz». Входнойконтроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его кработе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.

Должен знать: конструкцию и принцип работыфотолитографического оборудования с программным управлением; правилапользования автоматической системой управления движением пластин; методыкорректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий порезультатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) -изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.

2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм — проведениеполного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качествавыполнения их перед проведением плазмохимических процессов.

3. Рамка контактная — проведение полного циклафотолитографических операций.

4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм -проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.

Комментарии к профессии

Приведенные тарифно-квалификационные характеристики профессии «Оператор прецизионной фотолитографии» служат для тарификации работ и присвоения тарифных разрядов согласно статьи 143 Трудового кодекса Российской Федерации. На основе приведенных выше характеристик работы и предъявляемых требований к профессиональным знаниям и навыкам составляется должностная инструкция оператора прецизионной фотолитографии, а также документы, требуемые для проведения собеседования и тестирования при приеме на работу. При составлении рабочих (должностных) инструкций обратите внимание на общие положения и рекомендации к данному выпуску ЕТКС (см. раздел «Введение»).

Обращаем ваше внимание на то, что одинаковые и схожие наименования рабочих профессий могут встречаться в разных выпусках ЕТКС. Найти схожие названия можно через справочник рабочих профессий (по алфавиту).

  • Заявка;
  • Фотография 3*4 (без головного убора);
  • Копия документа об образовании;
  • Копии предыдущих удостоверений (при наличии);

По результатам проверки полученных знаний выдается:

  • Удостоверение установленного образца.
  • Выписка из протокола аттестационной комиссии.
  • Свидетельство о профессии рабочего, должности служащего.

источник