Меню Рубрики

Установки для совмещения и экспонирования

Оборудование полупроводниковой промышленности

Модель 200IR наиболее универсальная и легкая в использовании установка двухстороннего совмещения и экспонирования с высокой производительностью для современного полупроводникового производства. Модульный принцип конструкции позволяет формировать системы с гибкими конфигурациями для обеспечения различных применений и нужд потребителей. Эта установка совмещения и экспонирования является гибкими и экономическим решением для любых технологий начального уровня, где применяется оптическая литография, например для: MEMs, микрофлюидики и наноимпринт литографии.

Модель 200IR предназначена для высокоточного двухстороннего совмещения маски с подложкой, а также обеспечения подачи коллимированного УФ излучения для проведения процесса экспонирования с высоким разрешением до субмикронного уровня. Система может конфигурироваться для применения в технологических циклах изготовления различных приборов, таких как: полупроводниковые приборы, III-V структуры, оптоэлектроника, MEMS, MCM, формирование столбиковых выводов, электронные дисплеи, температурные и медицинские, PCB производство и др.

  • Высокая эффективность, Универсальность, Модуль экспонирования укомплектован источником питания с контроллером интенсивности
  • Обработка ближним, средним и глубоким УФ
  • Субмикронная печать и «Level-to-Level» совмещение
  • Легко заменяемые держатели для маски и пластины
  • Регулируемый прижим «пластина-К-маске»
  • Мягкий, плотный, вакуумный контакт или режим с микрозазором
  • N2 очистка при экспонировании
  • Ультра точный держатель
  • Управляющий джойстик (опция)
  • Возможность ИК совмещения
  • Двухстороннее совмещение
  • Антивибрационная система с четырьмя независимыми центрами регулировки (опция)

Описание главных подсистем

Система инструментов совмещения маски включает модули держателей маски, пластины и точные микрометрические винты перемещения без обратной реакции для X-Y-Тета осей. Регуляторы перемещения по Тета встроены в модули держателей маски и пластины. Данная подсистема набора инструментов включает дополнительные легкие в использовании электронные рычаги для регулировки давления «пластина-К-маске». Эта система гарантирует высокую плоскостность и устраняет клин (выравнивающей поверхности) системы держателя пластины. Система держателя маски укомплектована пневматической системой загрузки/разгрузки и позиционирования маски.

  • Размер . до 9”x9” max
  • Прижим . вакуумный
  • Подъем маски. пневматический
  • Поворот . ± 90 o
  • Перемещение. X, Y, Тета и Z
  • стандартное. микрометры
  • X — Y диапазон. ± 6.5 мм
  • поэтапное перемещение.. 0.25 – 0.5 мкм
  • Тета перемещение/точность. ± 3,5 o / 0.001 o
  • Z диапазон. ± 1,500 мкм
  • X — Y угловая погрешность 2 (для УФ 365 нм спектра)
  • NUV сенсор. А=UV365B, B=UV400B

OAI Система питания со стабилизацией интенсивности обеспечивает широкий спектр интенсивности излучения с точностью выше ±2% и высокой повторяемостью. Датчик, находящийся в непосредственной близости к источнику излучения, обеспечивает обратную связь в реальном времени с системой контроля источника питания.

  • Мощность (350Вт лампа): 310Вт (экспонирование: 300-385Вт)
  • Контроль интенсивности: двухканальный оптический с обратной связью, ±2% точность
  • NUV датчик: А=UV365B, B=UV400B
  • Система безопасности: Аудио сигнал о превышении мощности

Подсистема контроля (SCM)

Подсистема контроля (SCM) обеспечивает пневматический, электрический и механический контроль системы. Система укомплектована цифровым таймером, вакуумным датчиком, датчиком расхода N2, функцией теста, а также другими необходимыми системами контроля. Вакуумный контакт и очистка N2 регулируются оператором.

  • Контроль: Ручной режим, Вкл/Выкл мощности, Экспонирование, Вакуум пластины, Вакуум маски, Загрузка/разгрузка, Контакт (вакуумный контакт и очистка N2 легко регулируются)
  • Таймер: от 1 до 999.9 сек, с шагом 0.1 сек
  • Датчики: Вакуумный, Вакуумный контакт и N2

Подсистема защиты от вибрационных помех

В комплект поставки включен антивибрационный стол для защиты от вибрационных помех.

Технические характеристики

  • Длина: 0.79 м
  • Ширина: 0.64 м
  • Высота: 0.94 м (вкл. освещение)
  • Вес: 68.2 кг
  • Питание: 230В/50Гц, одно-фазовое, 20A Max
  • CDA или N2: 60 psi
  • Давление N2: 20 psi
  • Вакуум: 0.836 атм.
  • Откачка: внешняя или внутренняя (0.1” H2O)

источник

Установка экспонирования автоматического совмещения OLEC AT 30 для производства печатных плат

Запросить прайс

Описание

В этом поколении установок совмещения и экспонирования фирмы OLEC, в отличие от серии машин АP, присутствует система автоматического совмещения.

Читайте также:  Установки индукционного нагрева классификация

Универсальная установка совмещения и экспонирования серии AT 30 предназначена для применения в производстве печатных плат 5 класса при экспонировании фоторезистов и защитной паяльной маски.

Применение в данной установке источника энергии экспонирования типа «точечный источник» позволяет получить разрешение токопроводящего рисунка печатной платы проводник-зазор 0,075/0,075 мм.

В составе установки имеется выполненное на базе CCD телекамер и компьютера устройство автоматического совмещения фотошаблонов и заготовки. Работа встроенной системы совмещения основана на известном принципе совмещения по мишеням, внесённым в технологическое поле фотошаблона.

Применение данного способа совмещения позволяет отказаться от пробивки базовых отверстий в фотошаблонах, а, следовательно, исключить из техпроцесса установку пробивки базовых отверстий и связанную с этой операцией пробивки потерю точности совмещения.

В базовом варианте установка оборудована четырехкамерной автоматической системой совмещения для каждой из двух независимых рамок экспонирования (всего в установке восемь CCD камер). Эта четырехкамерная система для каждой рамки позволяет в достаточной степени компенсировать ошибки системы совмещения, возникшие на предыдущих этапах изготовления печатной платы.

Такая четырехкамерная система позволяет достичь фактической точности совмещения 25 мкм (а при условии “best fit” до 10 мкм ), даже при наличии некоторых ошибок системы совмещения, возникших на предыдущих этапах изготовления печатной платы. При этом влияние ошибки предыдущих технологических операций, в том числе ошибки фотоплоттера и сверлильного станка при выполнении реперных меток, снижается до 70%.

Высокая эффективность преобразования электрической энергии в эффективную длину волны обеспечивает исключительно малое время экспозиции при значительной экономии электроэнергии.У машины есть две лампы экспонирования и две рамы экспонирования, что позволяет оператору экспонировать обе стороны заготовки в одной раме, в то время как происходит загрузка другой рамы. Экспонируемая область 610×610 мм.

Широкий диапазон интенсивности излучения обеспечивает повышенный выход годных. Установка имеет три уровня интенсивности излучения: низкая, средняя и высокая. Режимы низкой и средней интенсивности дают более точную настройку экспонирования для резистов, требующих короткого времени экспонирования.. Режим высокой интенсивности дает быстрое и точное экспонирование для высокой производительности, а также идеально подходит для сухой пленочной паяльной маски.

Лампы автоматически переключаются на холостой режим между экспонированиями, чтобы сохранить электроэнергию и продлить срок жизни лампы.

Время экспонирования рассчитывается микропроцессором, управляемым интегратором и фотодатчиком, установленным в раме. Эта система автоматически регулирует экспонирование на каждой стороне каждой рамы, чтобы компенсировать разницу расстояний между лампой и рамой.

Установка AT 30 также имеет возможность экспонирования по времени. Обе заслонки открываются и закрываются одновременно.

По желанию заказчика установка может быть оборудована встроенной воздушной системой охлаждения с замкнутой циркуляцией воздуха внутри установки и встроенным водяным теплообменником-охладителем воздуха. Без выброса горячего воздуха наружу, что идеально подходит для использования установки в «чистых комнатах». Также существует возможность поставки станции подготовки оборотной холодной воды для создания замкнутой системы водоциркуляции установка-теплообменник.

Точность поддержания температуры в зоне экспонирования ±2,5°С от в диапазоне 16 °С÷25°С.

Преимуществами данной установки являются надежность, легкость в управлении и обслуживании.

Поставка, пусконаладка и обслуживание производятся квалифицированными сервисными инженерами, прошедшими специальное обучение на фирме-производителе.

Компания «ПЕТРОКОММЕРЦ» предоставляет гарантийное и послегарантийное обслуживание до 10 лет.

источник

Совмещение и экспонирование

В процессе изготовления ИМС фотолитография проводится несколько раз. При
первой фотолитографии
, когда поверхность подложек еще однородна,

фотошаблон ориентируют относительно базового среза подложки.

Начиная со второй фотолитографии, необходимо совмещать рисунок шаблона с рисунком на подложке, полученным в технологическом слое при проведении предыдущей фотолитографии.

Читайте также:  Установка компрессора беркут r20

Для полного формирования ИМС необходим комплект фотошаблонов (для каждой фотолитографии свой шаблон) со строго согласованными друг относительно друга рисунками.

Совмещение выполняют визуально на той же установке, что и последующее экспонирование, путем наложения (при наблюдении под микроскопом) рисунков шаблона и подложки. Совмещение ведется по специальным рисункам — фигурам совмещения, выполненным в виде колец, крестов, штрихов и т.п. Для предотвращения царапанья, сколов и стирания поверхности шаблона и фоторезиста между ними устанавливают микрозазор (10-25 мкм).

После выполнения совмещения подложку прижимают к фотошаблону и экспонируют слой фоторезиста. Ультрафиолетовый свет проходит через прозрачные места фотошаблона и пронизывает слой фоторезиста, лежащий под ними, изменяя на этих участках растворимость фоторезиста. Процесс экспонирования контролируют временем облучения.

Такой способ экспонирования называют контактным.

При контактном способе экспонирования неизбежны механические повреждения соприкасающихся поверхностей фотошаблона и пластины, которые приводят к дефектам на пластине и шаблоне (вдавленные в фоторезист пылинки, микрочастицы стекла, прилипший к фотошаблону фоторезист и другие). Из- за механического износа пленочного рисунка необходима частая замена фотошаблонов. К достоинствам контактного способа относят его отработанность, высокую производительность и невысокую стоимость.

Способ экспонирования с микрозазором отличается от контактного экспонирования только тем, что после совмещения между подложкой и шаблоном остается зазор (10-25 мкм), при котором и облучают фоторезист. Из-за наличия зазора достигаемые минимальные размеры элементов увеличиваются с 2 мкм (при контактном способе экспонирования) до 4 мкм (при экспонировании с микрозазором). Но зазор значительно уменьшает повреждения шаблонов и увеличивает срок их службы.

Оба способа экспонирования (контактное и с микрозазором) проводятся на установке ЭМ-576 ( точность совмещения-0,5 мкм).

Проекционное экспонирование заключается в получении изображения в слое фоторезиста с помощью оптической системы со специальным объективом. Шаблон расположен на значительном расстоянии от подложки, его износ полностью исключен.

При проекционном экспонировании применяют способ шагового мультиплицирования с уменьшением масштаба. Фотошаблоны, называемые промежуточными фотооригиналами (ПФО), содержат увеличенное в 4- 20 раз изображение одного кристалла. После совмещения и экспонирования этого одного кристалла столик установки перемещают на один шаг и в новом положении подложки производят совмещение и экспонирование следующего участка (кристалла). И так до полного экспонирования всей подложки.

Совмещение осуществляется на каждом шаге с помощью специальных знаков (меток) совмещения в виде вытравленных канавок на подложках и непрозрачных штрихов на фотошаблоне. Процессы совмещения и экспонирования автоматизированы.

Достоинства проекционного экспонирования:

1. Высокая точность совмещения ( 0,1 мкм );

2. Минимальные размеры получаемых элементов —1 мкм;

3. Высокий срок службы фотошаблонов;

4. Более низкая дефектность на пластине (по сравнению с контактным методом).

Недостатки проекционного экспонирования:

1. Низкая производительность;

2. Если наПФО имеется дефект, то он повторяется в каждом кристалле на пластине (повтор).

Проекционное совмещение и экспонирование выполняется на установках ЭМ-584, ЭМ-584 А.

Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: Учись учиться, не учась! 11045 — | 8240 — или читать все.

источник

Установка совмещения и экспонирования Neutronix-Quintel NXQ4006

Полуавтоматическая установка совмещения и экспонирования NXQ4006 сочетает в себе возможность прецизионного совмещения и экспонирования, гибкость в настройке и удобство работы для оператора. Установка позволяет работать в режимах контактной литографии (мягкий/жесткий контакт) и литографии с вакуумным контактом. Данное оборудование работает с пластинами размером до 150 мм (6″), в том числе и с осколками. Установка подходит для широкого спектра задач и может применяться как при производстве, так и в научных центрах и университетах для проведения исследований.

Особенности установки:

— Режимы контактной литографии и литографии с вакуумным контактом.

Читайте также:  Установка квик на удаленный сервер

— Микроскоп VideoView с раздельными камерами высокого разрешения (есть возможность вывода изображения на двойной HD монитор). Объективы 5х. Режимы работы одиночного и разделенного поля. Увеличение объектива 5х, оптическое увеличение 7х (выбор требуемого поля обзора и кратности увеличения).

— Опциональные объективы 2х, 7.5х, 10х или 20х

— Ручное управление с помощью джойстика и микрометра

— Удобный лоток для ручной загрузки и выгрузки пластин

— Автоматическая компенсация ошибки положения пластины после ее загрузки

— Загрузка фотошаблона сверху

— Антивибрационное основание в стандартной комплектации

— Возможность задания времени экспозиции

— Установка проста в использовании, идеально подходит для лабораторий

— Высокая надежность и низкие эксплуатационные расходы

Опциональные возможности:

— ИК совмещение по обратной стороне (IR)

— Оптическое совмещение по обратной стороне (OBS)

— Модуль ИК-совмещения и модуль оптического совмещения интегрированы в единую систему, которая не требует смены оснастки. Для использования нужного метода совмещения по обратной стороне достаточно выбрать нужный пункт в меню программы.

— Оснащение специальной оптикой для работы с прозрачными подложками и пленками, которые требуют повышенной точности

— QuadCam – 2 CCD камеры высокого разрешения с объективами. Уникальное устройство позволяет менять широкий обзор на большое увеличение одним нажатием кнопки, без повторной фокусировки.

— Возможно оснащение установки для проведения процесса наноимпринт УФ-литографии (NIL-UV)

— Оптическая система с поддержкой ближнего (NUV 280-350 нм), среднего (MID UV 280-450 нм) и дальнего (DUV 220-280 нм) ультрафиолета

Технические характеристики:

1 мкм

3 мкм (IR)

Режимы работы Мягкий/жесткий контакт
Вакуумный контакт
Разрешение при экспонировании ≥0.5 мкм (при использовании вакуумного контакта)
Размер подложек От кусочков до подложек размером 150 мм (6″)
Толщина подложек до 10 мм
Размер шаблона От 3″x3″ до 9″x9″
Модуль совмещения
Диапазон перемещений (X, Y) ± 3,8 мм
Диапазон перемещений (по оси) ± 7°
Расстояние шаблон/подложка 0-180 мкм
Точность совмещения (по верхней стороне)
Точность совмещения (по обратной стороне)
Пределы перемещения микроскопа
Левый микроскоп, перемещение по X -22 мм до края пластины
С объективами смещения -5.5 мм до края пластины
Правый микроскоп, перемещение по X +22 мм до края пластины
С объективами смещения +5.5 мм до края пластины
Левый/правый микроскоп, перемещение по Y ±12.7 мм
Опциональное расширение перемещения микроскопа по Y От +12.7 мм до -88 мм
Система экспонирования
Мощность лампы 350/500 Вт или 500/1000 Вт
Стандартная оптика (УФ) 350-450 нм
Ближний ультрафиолет NUV (опция) 280-350 нм
Средний ультрафиолет MUV (опция) 280-450 нм
Дальний ультрафиолет DUV (опция) 220-280 нм
Равномерность освещения ± 4% (при диаметре пластины 150мм/6″)
Электроника/управление Программное управление и контроль проведения процесса с помощью системы управления процессом (ПЛК/PLC) с ЖК дисплеем
Понятный, интуитивный интерфейс пользователя
Электропитание 115В/60Гц или 240В/50Гц
Сжатый воздух 5.4 бар (80 PSI)
Вакуум -0.7 бар
Азот 3 бар (40 PSI)
Габариты (ШxГxВ) 1220x915x1423 мм (48″x36″x56″)
Вес 217 кг

Представленные технические характеристики являются примером возможности установки в конкретной конфигурации, но не отражают реальные характеристики оборудования по всей модельной серии. Для уточнения конкретных технических возможностей оборудования в конфигурации согласно техническому заданию необходимо направить нам запрос на разъяснение возможностей оборудования.

Компания Neutronix-Quintel, основанная в 1978 в США, занимается разработкой и производством установок совмещения и экспонирования для процессов фотолитографии в полупроводниковой и микроэлектронной индустрии. На данный момент компания является ведущим поставщиком новых установок микролитографии на рынках оптоэлектроники, микросистемной техники и нанотехнологий.

источник