Меню Рубрики

Установки для выращивания граната

Гранат

Итальянцы называли гранат «семенным яблоком» или «райским яблоком»

Они считали, что именно на такое яблоко в Раю покусилась Ева. Действительно, гранат — это такой плод, от которого отказаться невозможно. Стоит упомянуть хотя бы то, что он обладает колоссальными полезными свойствами, а вкусовые качества не оставят равнодушным ни одного гурмана. У него есть своя, длинная история, нашедшая место не в одной религии. Например, в Египте гранат означал возможность жизни после смерти, поэтому его обязательно клали в гробницы фараонам, веря, что этот плод поможет их правителю переродится в новом теле. А вот у древнеримских женщин гранат был элементом декора головного убора, символизирующий их замужний статус.

Краткая характеристика культуры

Гранат – плод гранатового дерева, которое вырастает высотой не более 4-5 м. Оно относится к числу долгожителей, может жить 100-150 лет. Но самым оптимальным возрастом для обильного плодоношения является период до 60 лет. Это светолюбивая, нетребовательная к влаге культура. Может хорошо переносить засухи и кратковременные заморозки. Побеги граната тонкие, покрыты светлой корой и кожистыми, овальными листьями. На побегах есть редкие шипы.

Цветение гранатового дерева проходит в разных местностях с февраля до июня, оранжево-красными, воронковидными цветами. Большинство цветков бесплодны и опадают сами после того, как на дереве начинает появляться завязь. Срок созревания плода – 120-150 дней от окончания цветения. Визуально определить, созрел плод, или еще нет, будет трудно, так как в процессе созревания кожица плодов не меняет свой цвет.

Плод граната – шаровидный фрукт, покрытый серой, с примесью красного оттенка, плотной кожицей, внутренняя часть которого состоит из множества зерен, покрытых сочной мякотью ярко белого, зеленоватого, красного или алого цвета. Зерна содержатся в небольших группах, разделенными между собой кожистыми светлыми перемычками. Количество зерен в плоде – 400-700 штук. Приблизительная урожайность с каждого взрослого дерева – 40-60 кг. Масса одного плода может достигать веса в 600 грамм.

Популярные сорта гранатов:

  • Вандерфул (американский сорт с мягкими косточками);
  • Халва, Шароди (Иран);
  • Бедана (Индия);
  • Гюлоша розовая, Велес (Закавказье, Крым);
  • Мангулати, Малисси (Израиль);
  • Мультплекс, Чико (декоративные сорта, используются для обустройства ландшафта).

Гранат принадлежит к семейству Дербенниковые. На данный момент в мире известно порядка 500 сортов гранатов. Считается, что родина граната – это Восток. Сейчас данная культура с успехом культивируется в таких странах, как Индия, Афганистан, Иран, Ирак, государствах Латинской и Южной Америки, на Бермудских островах, Гавайях, а также в Японии и странах Средиземноморья. В России гранат выращивают на Северном Кавказе, Крыму, Краснодарском крае. Большинство плодов, которые продаются на полках наших магазинов, завезены из Абхазии, Азербайджана или Грузии. Сейчас среди садоводов и фермеров средней полосы России проходят попытки выращивать более холодостойкие сорта.

Как показала практика, гранатовое дерево очень неприхотливое. Выращивается оно с помощью семян, черенков, отводков. Можно даже самому прорастить саженец из семян плода, купленного в магазине. Для него подходит практически любой тип грунта, но лучше при выборе участка для выращивания остановиться на щебенчатых почвах. Они отличаются хорошими дренажными свойствами. Если нет возможности выращивать на таком участке, перед посадкой саженцев обязательным условием является обустройство дренажа.

Технология выращивания граната

Как уже было сказано выше, гранат можно вырастить самостоятельно из семечки. Для этого нужно взять несколько семян, очистить их от мякоти, и замочить на несколько дней в воде. После этого семена помещаются в горшочки во влажную почву, всё это накрывают стеклом и оставляют в темном месте. Температура в помещении должна быть не ниже +20°С. Через 10-60 дней покажутся ростки, горшочки следует перенести в светлое место. Самым сложным будет первый месяц жизни ростков – они могут погибнуть от переувлажнения, повышенной или пониженной температуры среды. Поливать их нужно так, чтобы земля в горшочках успевала подсыхать. Через 2-3 месяца окрепшие сеянцы можно по отдельности пересадить в горшочки побольше. А в открытый грунт саженцы высаживают, когда они достигли высоты 20-30 см. Сажать гранаты в открытый грунт можно весной и осенью, в первый год жизни их придется максимально оберегать от возможного негативного воздействия внешней среды. Посадка в открытый грунт не требует каких-либо сверхъестественных мер подготовки. Но всё же некоторая определенная система существует.

  1. За 1-2 года до закладки промышленного сада на территории, отведенной под гранатовый сад, выращивают сидераты, после чего заделывают их в грунт и проводят стандартный плантаж.
  2. Выращивают гранаты только на участках, защищенных от ветра.
  3. Подойдет любой тип грунта, кроме засоленного и заболоченного.
  4. Схема посадки – 5х3 или 4х2 м; параметры посадочных ям 60х60х60 см.
  5. На дно посадочных ям размещают дренажный слой, перемешанный с верхней плодородной почвой.
  6. Саженцы сажают под уклоном, чтобы на зиму их было проще укрыть.
Читайте также:  Установка балясин для ограждения проема

После посадки каждый саженец поливают и мульчируют. В дальнейшем следует постоянно соблюдать наличия мульчи, будь это молодой кустик, или взрослое дерево. С удобрениями и подкормками нужно быть предельно осторожным, и следить, чтобы они не попали на корни. Подкормки делают два раза на год – в мае и июне, по листьям. Их опрыскивают раствором 20 граммов кристалона, разведенного в 10 литрах воды.

Одного полива в неделю будет достаточно, но в летнее время их увеличивают до двух-трех. В первые годы роста важно сформировать правильную для граната, форму кроны – кустовидную. Для этого выделяют 5 основных побегов. Обрезки проводятся после уборки урожая – удаляют сухие, поврежденные ветки, а также те, которые вызывают загущение кроны. Прикорневую поросль и штамбовые отпрыски тоже нужно удалять, их можно использовать для получения новых саженцев. Омолаживающая обрезка проводится с интервалом в 25 лет.

Болезни и вредители граната:

  • щитовка, паутинный клещ;
  • гранатовая тля, гранатовая плодожорка;
  • пятнистость, серая гниль;
  • рак веток и корней.

Уход за гранатом не отличается великой сложностью. Несмотря на некую экзотичность, выращивать эту культуру, а особенно в подходящих для неё климатических условиях, будет несложно. Кроме этого, многие фермеры делают довольно неплохой бизнес на гранатах. Учитывая массу полезных качеств, этот плод всегда не из дешевых. Особенно если дело касается производства гранатового сока, выход которого 50-70%. Натуральный гранатовый сок очень дорогой, и встречается далеко не в каждом магазине. Ему, конечно же, придумали более дешевые аналоги – не будем перечислять самых популярных производителей, которые при изготовлении гранатового сока используют лишь небольшой процент концентрата, дополняя его водой, кислотами, красителями и прочими веществами. Иными словами – разбавляют натуральный гранатовый сок. Такой продукт, конечно же, дешевле намного, но и пользы такой нет, как от чистого, натурального. Поэтому, любому покупателю, гораздо полезнее будет приобрести гранат, и употребить его в чистом виде, или самому отжать сок.

Чем полезен гранат

Думаем, что о пользе граната слыхали все. Мало того, его используют в фармакологии, для изготовления препаратов, стимулирующих кроветворную функцию организма, повышение гемоглобина. Гранат – богатый источник железа. Кроме него, в плодах содержится около 20% сахаров, 4% органических кислот, огромное количество витамина С, А, В, Е, РР. Препараты, в состав которых входят вещества, взятые из этих плодов, обладают общеукрепляющим, противовоспалительным, ранозаживляющим свойством. В давние времена, при отсутствии современного изобилия препаратов и медикаментов, сок, кожуру граната широко использовали в народной медицине. О жителях России этого не скажешь, наши предки лечились более привычными и сегодня методами. А вот в Китае, Италии, Востоке гранат был практически панацеей – его сок использовали и внутрь и наружно, а отвар из плодов вместе с кожицей по праву считался надежным средством от желудочно-кишечных расстройств.

В чем еще собственно, польза граната:

  • предупреждение гипертонии, анемии, авитаминоза;
  • стимуляция и улучшение работы поджелудочной железы;
  • укрепление мышцы сердца;
  • защита от рака – блокировка роста злокачественных клеток;
  • полезен при сахарном диабете, но при этом нужно употреблять именно плоды и свежеотжатый сок;
  • предупреждение болезни Альцгеймера, сохранение здравого ума и рассудка даже в преклонном возрасте.

Можно сказать, гранат – универсальное природное лекарство против многих болезней. Исключением является, конечно же, индивидуальная непереносимость и аллергии. Исходя из фактов, убеждающих о его невероятной пользе, многие стремятся при любой возможности полакомиться этим плодом. Так как он не из дешевых, важно уметь правильно их выбирать, чтобы не потратить деньги на некачественный продукт. Внимание нужно обращать на хвостик – он не должен быть зеленым. Кожура – сухая, без деформаций и пятен. У спелого граната зерна хорошо прощупываются через кожуру. И еще – качественный, спелый плод будет тяжелее, чем кажется.

Уборка и хранение урожая

Убирать гранаты не сложно. При правильном уходе плодов на дереве будет немного, но они будут большие и спелые. Но так как созревание проходит не всегда очевидно, иногда приходится обрывать и несозревшие до конца плоды. Их конечно же можно отложить в теплое место для достижения спелости, но полезных качеств такие плоды будут иметь намного меньше. Гранаты срезают с веток при помощи секатора, и укладывают в ящики ровными рядами по калибру. Важно избегать падений и ударов, такие плоды не смогут долго храниться, и их нужно либо пустить на переработку, либо сразу же реализовать к употреблению. Хранить гранаты можно до двух месяцев при температуре воздуха +3…+6°.

Читайте также:  Установка проставок для увеличения клиренса 2110

источник

Установки для выращивания монокристаллов

Установки для выращивания монокристаллов.

Описание:

Установки для выращивания монокристаллов представлены целой серией установок .

Установки для выращивания монокристаллов предназначены для выращивания таких монокристаллов как теллурид кадмия, арсенид индия и галия, антимонид индия, германия, кремния, сапфир , алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других.

Установка для выращивания монокристаллов соединений на основе теллурида кадмия методом движущегося нагревателя:

Кристаллы соединений на основе теллурида кадмия выращиваются в специально изготовленной герметичной ампуле, содержащей исходные материалы. Ампула устанавливается на шток механизма перемещения, который позволяет перемещать ампулу вертикально вверх/вниз на рабочей и ускоренной скоростях вдоль оси теплового узла. В процессе роста ампула не видна. Вся информация о ходе процесса приходит от датчиков. Время одного процесса около 300 часов.

Метод движущегося нагревателя заключается в том, что в ростовую ампулу загружают затравочный кристалл , на него помещают слиток, при расплавлении которого формируется жидкая зона раствора-расплава на основе теллура, в верхней части помещается поликристаллическая заготовка теллурида кадмия. При перемещении ампулы вниз происходит растворение поликристаллической заготовки, диффузия растворенного соединения через жидкую зону раствора-расплава и кристаллизация соединения на затравочном кристалле.

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов соединений на основе теллурида кадмия:

Тепловой узел размещен внутри герметичной камеры
Тепловой узел включает 3 тепловые зоны и обеспечивает возможность выращивания кристаллов диаметром до 80 мм
Температура средней (основной) тепловой зоны, в интервале °С 700…950
Температура нижней и верхней подпорных тепловых зон, в интервале °С 200…400
Число регулируемых зон нагрева (всего / резервных) 4 / 1
Температурный профиль нагревателя обеспечивает градиент температуры в интервале 30…50 град/см в области затравочного кристалла
Нестабильность температуры по оси температурного профиля, °С 0.5
Пульт управления выполнен с использованием программируемых микроконтроллеров для управления 4-мя зонами нагревателя и возможностью подключения к персональному или промышленному компьютеру
Перемещение штока по вертикали:
рабочая скорость, мм сут-1 5…25
маршевая скорость, мм мин-1 0,115…115
величина хода, мм 350
Частота вращения штока, об мин-1 1…60
Нестабильность вращения валов эл. дв., не более % 0,5
Допустимое биение ампулы при вращении – не более 5 мм в радиальном направлении
Возможность откачки рабочего объема (форвакуум) и напуска инертного газа (аргон)
Установочная мощность тепловых зон, Вт 1000
Общая мощность, кВт 4
Максимальный ток зоны нагрева, А 100
Индицируемые параметры:
сигналы датчиков температуры зон
скорость перемещения штока
положение штока
частота вращения штока
Габаритные размеры, мм (не более)
Печной агрегат:
высота 2565
ширина 1000
глубина 850
Масса, кг (не более)
Печной агрегат 1000
Стойка управления 300
Напряжение питающей сети, В 380/220
Частота питающей сети, Гц 50
Расход охлаждающей воды, м3 \час 2,0

Установка для выращивания монокристаллов арсенида индия и галлия:

Установка предназначена для выращивания монокристаллов арсенидов индия InAs и галлия GaAs под давлением инертного газа с последующим отжигом выращенного кристалла.

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галлия:

Максимальные размеры тигля, мм:
диаметр 230
высота 200
Способ нагрева резистивный
Материал нагревателя графит
Высота нагревателя, мм 400
Максимальная температура, ˚С на нагревателе 1400
Точность регулирования температуры, ˚С 0,1
Среда в камере печи
предельный вакуум, мм.рт.ст. 1*10-4
избыточное давление инертного газа, атм. 10-20
Устройство перемещения верхнего штока:
Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин 0-30
Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/мин 0-0,5
Скорость ускоренного перемещения привода верхнего штока, мм/мин 100
Ход штока затравки, мм 600
Устройство перемещения тигля:
Величина перемещения тигля, мм 200
Скорость вращения привода тигля, об/мин 0-20
Скорость перемещения привода нижнего штока, рабочая, мм/мин 0-0,5
Скорость ускоренного перемещения привода нижнего штока, мм/мин 70
Тепловой узел установки:
Верхняя зона:
Температура нагревателя верхней зоны, ˚С 1200
Потребляемая мощность нагревателем верхней зоны, кВт 20
Точность поддержания температуры ±0,1
Средняя Зона:
Температура на нагревателе, ˚С 1400
Потребляемая мощность, не более, кВт 60
Точность поддержания температуры ±0,1
Нижняя зона:
Температура на нагревателе, ˚С 1200
Потребляемая мощность, не более, кВт 20
Точность поддержания температуры ±0,1
Читайте также:  Установка круиз контроля opel omega

Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия:

Установка предназначена для плавления , синтезирования и выращивания монокристаллов антимонидов индия InSb с последующим отжигом выращенного кристалла.

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов антимонида индия:

Максимальные размеры тигля, мм: – диаметр 135
высота 70
Способ нагрева резистивный
Материал нагревателя графит
Высота нагревателя, мм 180
Максимальная температура, ˚С на нагревателе 1200
Точность регулирования температуры, ˚С 0,1
Среда в камере печи:- предельный вакуум, мм.рт.ст. 1*10-5
проток инертного или горячего газа, л/час 1-100
Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин 0-50
Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/ч 0-50
Скорость перемещения привода верхнего штока, маршевая, мм/мин 200
Привод перемещения тигля:
Величина перемещения привода тигля, мм 200
Скорость вращения привода тигля, об/мин 0-20
Электропитание:
– нагреватель однофазный
частота, гц 50

Малогабаритная установка выращивания монокристаллов:

Малогабаритная установка предназначена для выращивания монокристаллов германия, кремния, антимонидов галлия и индия в автоматическом режиме (кроме затравления) из тигля Ø102х100 мм и для проведения исследовательских работ.

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов германия, кремния и пр.:

Максимальные размеры тигля:
диаметр, мм 102
высота, мм 100
Способ нагрева резистивный
Материал нагревателя графит
Предельная температура, °С 1650
Точность регулирования температуры,°С ± 5
Среда в камере печи – вакуум ( в чистой сухой камере), мм.рт.ст 5х10 -5
Скорость перемещения верхнего штока, мм/мин:
рабочая 0,1-8
маршевая 150
Величина перемещения верхнего штока, мм 400
Частота вращения верхнего штока, об/мин 1-30
Электропитание:
нагреватель однофазный
частота, Гц 50
Расход охлаждающей воды, м 3 /час 1
Давление воды, МПа 0,3

Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов сапфира, алюмоиттриевого граната, танталата лития и пр. способом Чохральского:

Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способом Чохральского, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других.

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов сапфира, алюмоиттриевого граната, танталата лития и пр.:

Температура плавления до 2100 О С
Диаметр тигля для расплава до 150 мм (в зависимости от типа выращиваемого кристалла)
Масса выращиваемого кристалла до 4 кг; 8 кг
Диапазон измерения датчика веса до 5 кг; 10кг
Чувствительность датчика веса не менее 0,02 г; 0,04 г
Рабочий ход верхнего штока 550 мм
Скорость перемещения верхнего штока:
рабочая от 0,1 до 120,0 мм/ч
ускоренная от 0,5 до 150,0 мм/мин
Скорость вращения верхнего штока 1-100 об/мин
Рабочий ход нижнего штока 200 мм
Тип преобразователя транзисторный (IGBT технология)
Выходная мощность преобразователя 40 кВт; 100 кВт
Диапазон использования выходной мощности преобразователя частоты от 1 до 100 % от используемой
Коэффициент полезного действия не ниже 93%
Допустимое отклонение выходной мощности преобразователя частоты от установленной ± 0,05%
Давление инертного газа в камере не более 1,5х10 5 Па
Предельный форвакуум в ростовой камере при выключенном индукторе не более 2,6 Па
Потребляемая мощность установки (без преобразователя частоты) не более 3 кВт
Давление охлаждающей воды от 200 кПа до 250 кПа

выращивание монокристаллов
методы выращивание монокристаллов
установка выращивания монокристаллов
установка выращивания кристаллов
выращивание монокристаллов кремния
выращивание монокристаллов в домашних условиях
ростовые установки для выращивания монокристаллов
ищу работу по выращиванию монокристаллов
методы выращивания объемных монокристаллов
метод чохральского выращивание монокристаллов
выращивание монокристаллов по чохральскому
оборудование выращивания монокристалл сапфир цена
гексагональный диоксид германия выращивание монокристаллов
метод вернейля выращивание монокристаллов
ростовые установки для выращивания монокристаллов методом vgf
установка для выращивания монокристаллов йодистого цезия
земсков виктор сергеевич выращивание монокристаллов в невесомости

источник