Меню Рубрики

Установки вакуумного напыления микра

Разработки

Технология и оборудование для ионно-плазменного напыления покрытий на мелкоразмерные изделия

Назначение
Установка ионно-плазменного нанесения покрытия «Микра» предназначена для нанесения методом КИБ износостойких, коррозионно-стойких, защитно-декоративных покрытий (металл, нитриды, оксиды, карбиды и т.д.) на различные изделия из металла и ряда диэлектриков.

Краткая характеристика
Установка применяется для научных и технологических исследований в области физики плазмы и нанесения покрытий, модифицирующих свойства поверхности материалов, а также промышленной обработки партий мелкоразмерных изделий и инструментов.

Технико-экономические показатели

Время достижения предельного вакуума (не более)

Управление работой установки от загрузки до выгрузки стекла

Скорость осаждения нитрида титана

Ток испарителя (плавно регулируемый)

Ток источника низкотемпературной газовой плазмы

Напряжение высоковольтного источника

Потребляемая мощность, не более

Области применения
Установка применяется для разработки покрытий, получаемых методом ионно-плазменного напыления, а также для обработки мелкоразмерных изделий.

Основные преимущества
При создании установки были учтены недостатки прототипов и сохранены их достоинства. Установку отличают современные технические решения, высокая надежность и простота эксплуатации в сравнении с аналогами. Важными преимуществами являются малые габариты и современный дизайн.

К преимуществам установки относятся также низкое энерго- и ресурсопотребление, экономия расходных материалов и относительно малое время технологического цикла нанесения покрытия. Кроме того, имеющийся в установке источник низкотемпературой газовой плазмы (газовый источник), позволяет выполнять дополнительную внутрикамерную очистку изделий, что существенно улучшает качество покрытия.

Стадия разработки
Установка освоена и внедрена в 26 городах России и Казахстана. Имеется конструкторская и технологическая документация на технологию и установку. При наличие заказов Институт может изготовить до пяти установок в год.

Правовая защищенность
Патент RU 2204961. Дата регистрации 27.05.2003 г. Установка для нанесения защитно-декоративных покрытий на металлические зубные протезы.
Патент RU 2177275. Дата регистрации 27.12.2001 г. Способ очистки зубных металлических протезов в вакуумной камере перед нанесением защитно-декоративных ионно-плазменных покрытий.

Сертификация
На установку получено Санитарно-эпидемиологическое заключение о ее безопасности, технические условия на установку и на технологию нанесения покрытий.

Коммерческие предложения
Заключение договора на изготовление и поставку установки и технологии нанесения ионно-плазменных покрытий. Обеспечиваем обучение обслуживающего персонала, гарантийное обслуживание установки в течение одного года.

источник

Установка ионно-плазменного напыления

Установка ионно-плазменного напыления.

Установка ионно-плазменного напыления и нанесения покрытия «Микра» предназначена для нанесения методом катодно-ионной бомбардировки износостойких, коррозионно-стойких, защитно-декоративных покрытий (металл, нитриды, оксиды, карбиды и т.д.) на различные изделия из металла и ряда диэлектриков.

Описание:

Установка ионно-плазменного напыления и нанесения покрытия «Микра» предназначена для нанесения методом катодно-ионной бомбардировки износостойких, коррозионно-стойких, защитно-декоративных покрытий ( металл , нитриды, оксиды, карбиды и т.д.) на различные изделия из металла и ряда диэлектриков.

Установка ионно-плазменного напыления применяется для промышленной обработки партий мелкоразмерных изделий и инструментов , а также для научных и технологических исследований в области физики плазмы и нанесения покрытий, модифицирующих свойства поверхности материалов и разработки этих покрытий.

Преимущества:

– современные технические решения,

высокая надежность и простота эксплуатации в сравнении с аналогами,

– малые габариты и современный дизайн,

низкое энерго- и ресурсопотребление,

– экономия расходных материалов,

относительно малое время технологического цикла нанесения покрытия.

– имеющийся в установке источник низкотемпературой газовой плазмы (газовый источник), позволяет выполнять дополнительную внутрикамерную очистку изделий, что существенно улучшает качество покрытия.

Технические характеристики:

Характеристики: Значение:
Предельный вакуум 1,33×10 -3 Па
Время достижения предельного вакуума (не более) 30 мин.
Управление работой установки от загрузки до выгрузки стекла программное автоматическое
Скорость осаждения нитрида титана 3 6 мкм/ч
Ток испарителя (плавно регулируемый) 40 60 А
Ток источника низкотемпературной газовой плазмы 2 10 А
Напряжение высоковольтного источника 50 1000 В
Потребляемая мощность, не более 5.5 кВт
Установочная площадь 9 м 2
Читайте также:  Установка автомобильного активного сабвуфера

Примечание: описание технологии на примере установки ионно-плазменного напыления и нанесения покрытия «Микра».

ионно плазменное напыление
установка ионно плазменного напыления
вакуумное ионно плазменное напыление
установки ионно плазменного напыления микра
оборудование ионно плазменного напыления
купит ионно плазменное напыление
вакуумные установки напыления ионно плазменные
ионно плазменное напыление реферат
установка ионно плазменного напыления 01ни5 009 читать
ионно плазменное напыление в спб
вакуумная установка ионно плазменного напыления микра
технические условия на ионно плазменное напыление
ионно плазменное напыление можно ли мочить водой

Востребованные технологии

  • Концепция инновационного развития общественного производства – осуществления Второй индустриализации России на период 2017-2022 гг. (105 446)
  • Экономика Второй индустриализации России (100 874)
  • Программа искусственного интеллекта ЭЛИС (20 810)
  • Мотор-колесо Дуюнова (14 190)
  • Гидротаран – самодействующий энергонезависимый водяной насос (13 119)
  • Природный газ, свойства, химический состав, добыча и применение (11 117)
  • Метан, получение, свойства, химические реакции (9 925)
  • Пропилен (пропен), получение, свойства, химические реакции (8 196)
  • Звездная батарея на гетероэлектриках (7 468)
  • Вторая пятилетка 1933-1937 гг. (7 249)
  • Первая пятилетка 1928 – 1932 гг. (6 667)
  • Целлюлоза, свойства, получение и применение (6 278)
  • Бутан, получение, свойства, химические реакции (6 196)
  • Графен, его производство, свойства и применение (6 187)
  • Фуллерен, его производство, свойства и применение (6 071)

Поиск технологий

О чём данный сайт?

Настоящий сайт посвящен авторским научным разработкам в области экономики и научной идее осуществления Второй индустриализации России.

Он включает в себя:
– экономику Второй индустриализации России,
– теорию, методологию и инструментарий инновационного развития – осуществления Второй индустриализации России,
– организационный механизм осуществления Второй индустриализации России,
– справочник прорывных технологий.

Мы не продаем товары, технологии и пр. производителей и изобретателей! Необходимо обращаться к ним напрямую!

Мы проводим переговоры с производителями и изобретателями отечественных прорывных технологий и даем рекомендации по их использованию.

Осуществление Второй индустриализации России базируется на качественно новой научной основе (теории, методологии и инструментарии), разработанной авторами сайта.

Конечным результатом Второй индустриализации России является повышение благосостояния каждого члена общества: рядового человека, предприятия и государства.

Вторая индустриализация России есть совокупность научно-технических и иных инновационных идей, проектов и разработок, имеющих возможность быть широко реализованными в практике хозяйственной деятельности в короткие сроки (3-5 лет), которые обеспечат качественно новое прогрессивное развитие общества в предстоящие 50-75 лет.

Та из стран, которая первой осуществит этот комплексный прорыв – Россия, станет лидером в мировом сообществе и останется недосягаемой для других стран на века.

источник

Вакуумное напыление

Вакуумное напыление — это категория способов напыления покрытий (не толстой плёнки) в вакуумной среде, при каковых возмещение выходит путём прямого конденсирования пара, наносимого вещества.

Различают последующие периоды вакуум напылений:

  • Создание газов (паров) с элементов, образующих покрытие;
  • Транспортировка паров к подложке;
  • Конденсация пара в подложке и развитие напыления;
  • К группе способов вакуумного напыления принадлежат приведенные ниже технологические процессы, а кроме того реактивные виды данных действий.
Читайте также:  Установка проставок на санта фе

Методы теплового напыления:

  • Испарение электрическим лучом;
  • Испарение лазерным лучом.

Испарение вакуумной дугой:

  • Сырье улетучивается в катодном пятне гальванической дуги;
  • Эпитаксия моляльным лучом.

Ионное рассеивание:

  • Первоначальное сырье распыляется бомбардировкой гетерополярным потоком и действует на подложку.

Магнетронное распыление:

  • Напыление с гетерополярным ассистированием;
  • Имплантация ионов;
  • Фокусируемый ионный пучок.

Вакуумное покрытие используют с целью формирования в плоскости элементов, приборов и оснащения многофункциональных покрытий — проводящих, изолирующих, абразивостойких, коррозионно-устойчивых, эрозионностойких, антифрикционных, антизадирных, барьерных и т. д. Процедура применяется с целью нанесения декоративных покрытий, к примеру, при изготовлении часов с позолотой и оправ для очков. Единственный из ключевых действий микроэлектроники, где используется с целью нанесения проводящих оболочек (металлизации). Вакуумное покрытие применяется с целью получения оптических покрытий: просветляющих, отображающих, фильтрующих.

Материалами для напыления предназначаются мишени с разных веществ, металлов (титана, алюминия, вольфрама, молибдена, железа, никеля, меди, графита, хрома), их сплавов и синтезов (Si02,Ti02,Al203). В научно-техническую сферу способен быть добавлен электрохимически динамичный метан, к примеру, ацетилен (с целью покрытий, включающих углерод), азот, воздух. Хим реакция в плоскости подложки активизируется нагревом, или ионизацией и диссоциацией газа той либо другой конфигурацией газового ряда.

С поддержкой способов вакуумного напыления обретают напыления толщиной с нескольких ангстрем вплоть до нескольких микрон, как правило в последствии нанесения напыления плоскость не требует добавочного обрабатывания.

Методы вакуумного напыления

Вакуумное покрытие — перенесение элементов напыляемого материала с источника (зоны его переведения в газовую фазу) к плоскости детали исполняется согласно прямолинейным траекториям при вакууме 10-3 Па и ниже (вакуумное улетучивание) и посредством дифузного и конвекционного перенесения в плазме при давлениях 1 Па (катодное рассеивание) и 10-1-10-3 Па (магнетронное и ионно-плазменное рассеивание). Участь любой из крупиц напыляемого элемента при соударении с поверхностью детали находится в зависимости от ее энергии, температуры плоскости и хим сродства веществ оболочки и составляющих. Атомы либо молекулы, достигнувшие плоскости, имеют все шансы или отразиться от нее, или адсорбироваться и спустя определенный период времени, покинуть ее (десорбция), или адсорбироваться и формировать в плоскости поликонденсат (уплотнение). При высочайших энергиях крупиц, высокой температуре плоскости и небольшом хим сродстве, часть отображается поверхностью. Температура плоскости детали, больше которой все частички отражаются с нее и оболочка не сформируется, именуется опасной температурой напыления вакуумного, её роль находится в зависимости от природы веществ оболочки и плоскости детали и от состояния плоскости. При весьма небольших струях испаримых частиц, в том числе и в случае если данные частички в плоскости адсорбируются, однако нечасто сталкиваются с иными подобными же частичками, они десорбируются и не могут формировать зачатков, т.е. оболочка никак не увеличивается. Опасной частотой струи испаримых элементов для переданной температуры плоскости именуется минимальная уплотненность, при которой частички конденсируются и образовывают пленку.

Метод вакуумного напыления

Вакуумно-плазменное напыление

Согласно данному способу тонкие оболочки толщиной 0,02-0,11 мкм выходят в следствии нагрева, улетучивания и осаждения элемента на подложку в изолированной камере при сокращенном давлении газа в ней. В камере с поддержкой вакуумного насоса формируется максимальное влияние остаточных газов примерно 1,2х10-3 Па.

Рабочая камера предполагает собою металлический либо стеклянный колпак с концепцией внешнего водяного остужения. Камера размещена в основной плите и формирует с ней вакуумно-непроницаемое объединение. Адгерент, в котором проводится напыление, зафиксирован на держателе. К подложке прилегает электронагреватель, раскаляющий подложку вплоть до 2500-4500 оС, с целью усовершенствования адгезии напыляемой оболочки. Теплообменник содержит в себе отопитель и ресурс напыляемого элемента. Переломная затворка закрывает течение паров с испарителя к подложке. Покрытие длится в ходе времени, когда заслонка не закрыта.

Читайте также:  Установка бортовых компьютеров на гранту

Для нагрева напыляемого элемента в основном применяется 2 вида испарителей:

  • Прямонакальный проволочный или ленточный испаритель, изготавляемый с вольфрама либо молибдена;
  • Электронно-радиальные испарители с нагревом испаримого элемента электрической бомбардировкой.

Для напыления пленок с многокомпонентых веществ используется подрывное улетучивание. При данном теплообменник разогревается вплоть до 20000 оС и посыпается порошком из смеси испаримых веществ. Подобным способом удаётся обретать композиционные покрытия.

Некоторые известные вещества с целью покрытий (к примеру, золото) обладают плохой адгезией с кремнием и иными полупроводниковыми веществами. В случае некачественной адгезии испаримого вещества к подложке, улетучивание прокладывают в 2 слоя. Вначале сверху подложки наносят слой сплава, обладающего отличной адгезией к полупроводниковой подложке, к примеру, Ni, Cr либо Ti. Далее напыляют главный пласт, у которого прилипание с подслоем ранее превосходное.

Ионно-вакуумное напыление

Данный способ состоит в разбрызгивании вещества наносимого элемента, пребывающего под отрицательным потенциалом, вследствие бомбардировки ионами пассивного газа, появляющихся в ходе возбужденности перетлевающего разряда изнутри конструкции вакуумного напыления.

Материал негативно заряженного электрода распыляется перед воздействием ударяющихся о него ионизованных атомов пассивного газа. Данные пульверизированные промежуточные атомы и осаждаются сверху подложки. Основным превосходством ионно-вакуумного способа напыления представляется отсутствие потребности нагрева испарителя вплоть до высочайшей температуры.

Механизм происхождения тлеющего разряда. Разлагающийся разряд прослеживается в камерах с невысоким давлением газа меж 2-я железными электродами, на которые подается большой вольтаж вплоть до 1-4 кВ. При данном отрицательный электрод как правило заземлен. Катодом представляется мишень с распыляемого вещества. С камеры заранее откачивается воздушное пространство, далее запускается газ вплоть до давления 0,6 Па.

Тлеющий разряд приобрел собственное наименование из-за присутствия в мишени (катоде) так именуемого перетлевающего свечения. Данное сверкание обуславливается огромным падением возможности в тесном пласте объёмного заряда возле катода. К области TC прилегает сфера фарадеева тёмного пространства, переходящая в позитивный столбик, что представляется самостоятельной долею разряда, никак не подходящей с других слоев разряда.

Вблизи анода, кроме того, существует легкий пласт объёмного заряда, именуемый анодным пластом. Прочая часть межэлектродного интервала захвачена квазинейтральной плазмой. Таким способом, в камере прослеживается растровое сверкание с чередующихся тёмных и ясных полос.

Для прохождения тока меж электродами нужна стабильная эмиссия электронов катода. Данную эмиссию допускается спровоцировать по принуждению посредством нагрева катода, либо облучения его ультрафиолетовым светом. Такого рода разряд представляется несамостоятельным.

Вакуумное напыление алюминия

В некоторых случаях, особенно при напылении пластика, применяется металлизирование алюминием, а этот металл — материал довольно легкий и никак не износоустойчивый, в данном случае необходимы некоторые особые научно-технические приемы. Пользователю следует понимать, что подобные составляющие правильнее всего оберегать от засорения сразу же по прошествии штамповки, а кроме того, вредно использовать разные смазывающие порошки и присыпки в пресс-фигурах.

Вакуумное напыление алюминия

Вакуумное напыление металлов

Металлы, испаряющиеся при температуре ниже места их плавления, допускается разогревать непосредственным прохождением тока, серебро и золото испаряют в челноках с тантала либо вольфрама. Покрытие обязано изготавливаться в камере с давлением

источник